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KSH30分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

KSH30
廠商型號(hào)

KSH30
參數(shù)屬性

KSH30 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為剪切帶（CT）帶盒（TB）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 60V 10A DPAK
功能描述

Silicon PNP Power Transistor
封裝外殼

TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
文件大小

295.88 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISC【無錫固電】

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-25 11:37:00
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KSH30規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

· Collector-Emitter Breakdown Voltage

-V(BR)CEO= -40V(Min)

· Collector-Emitter Saturation Voltage

-VCE(sat):= -0.7V(Max) @IC= -1A

APPLICATIONS

· Low frequency amplifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    KSH3055TF

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    剪切帶（CT）帶盒（TB）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    8V @ 3.3A，10A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    50μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    20 @ 4A，4V

  • 頻率 - 躍遷：

    2MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D-Pak

  • 描述：

    TRANS NPN 60V 10A DPAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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