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KSM6N65	文件：669.85 Kbytes Page：4 Pages	Advanced high cell denity trench technology for ultra RDS(ON)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMB6N65	文件：659.49 Kbytes Page：4 Pages	Greendeviceavailable.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMF6N65	文件：707.7 Kbytes Page：4 Pages	Lowgatecharge.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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MDI6N65B	文件：935.49 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET650V,5.7A,1.45(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDI6N65BTH	文件：364.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=5.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.45Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MDI6N65BTH	文件：935.49 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET650V,5.7A,1.45(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MPCF6N65A	文件：357.32 Kbytes Page：5 Pages	ZeroReverseRecoveryCurrent Features ZeroReverseRecoveryCurrent ?ZeroForwardRecoveryVoltage ?Temperature-independentSwitchingBehavior ?PositiveTemperatureCoefficientonVF ?High-speedswitchingpossible ?Highsurgecurrentcapability Applications ?SwitchModePowerSupply(SMPS) ?MotorDrives ?Power	FS First Silicon Co., Ltd	FS
MSF6N65	文件：457.95 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MTN6N65BFP	文件：526.89 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTN6N65FP	文件：283.63 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
NDT6N65P	文件：3.45656 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
NJ6N65	文件：645.73 Kbytes Page：6 Pages	6.2A650VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
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更多KSM6N65供應(yīng)商更新時間2024-11-15 15:30:00

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