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零件編號(hào)	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
KSMU2N50	文件：1.63421 Mbytes Page：8 Pages	500V N-CHANNEL MOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MTD2N50	文件：168.7 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTORN-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATEDPAKFORSURFACEMOUNTORINSERTIONMOUNT	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTD2N50	文件：1.07618 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MTD2N50E	文件：152.07 Kbytes Page：12 Pages	N??hannelDPAKPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTD2N50E	文件：1.07619 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MTD2N50E	文件：299.02 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET2.0AMPERES500VOLTSRDS(on)=3.6OHM TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswithhigherpowerandlowerRDS(on)capabilities.ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationscheme	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTD2N50E	文件：345.75 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3.6Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTD2N50ED	文件：345.84 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTD2N50EI	文件：359.39 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTD2N50ELD	文件：346.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.18Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTD2N50ELI	文件：359.71 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.18Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTM2N50	文件：89.6 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MTM2N50	文件：168.25 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTP2N50	文件：157.18 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,3.0A,450V/500V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
MTP2N50	文件：381.94 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
MTP2N50	文件：317.42 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP2N50	文件：1.08665 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MTP2N50E	文件：1.08667 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MTP2N50E	文件：244.36 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET2.0AMPERES500VOLTSRDS(on)=3.6OHM TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhi	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
PHB2N50	文件：59.95 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemountingfeaturinghighavalancheenergycapability,stableoff-statecharacteristics,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.Intended	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips

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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	KSMU2N60	KERSEMI	23+	TO-251	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	KSMU2N60	KERSEMI/科盛美	23+	TO-251	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	KSMU2N60	KERSEMI	21+	TO-251	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	KSMU2N60	KERSEMI	TO-251	22+	6000	十年配單,只做原裝	詢價(jià)
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	KSMU2N60	KERSEMI	23+	TO-251	6000	原裝正品，支持實(shí)單	詢價(jià)
深圳市得捷芯城科技有限公司	KSMU2N60	KERSEMI/科盛美	23+	NA/	3749	原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	KSMU2N60	KERSEMI	22+	TO-251	25000	只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	KSMU2N60	KERSEMI	24+	TO-251	12300	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠心經(jīng)營免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)
深圳市匯萊威科技有限公司	KSMU2N65		KERSEMI	TO-251	68900	原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	KSMU4N60C	KERSEMI	23+	TO251	13000	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種	詢價(jià)

更多KSMU2N50供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-31 14:30:00

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