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KST51分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

KST51
廠商型號

KST51

參數(shù)屬性

KST51 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 12V 900MHZ SOT23-3

功能描述

NPN Darlington Transistors

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

42.37 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd
企業(yè)簡稱

KEXIN科信電子

中文名稱

廣東科信實業(yè)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-3-20 15:17:00

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KST51規(guī)格書詳情

Features

● High current (max. 0.5 A)

● Low voltage (max. 80 V)

● Integrated diode and resistor.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    KST5179MTF

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    12V

  • 頻率 - 躍遷:

    900MHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    4.5dB @ 200MHz

  • 增益:

    15dB

  • 功率 - 最大值:

    350mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    25 @ 3mA,1V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    50mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-3

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 900MHZ SOT23-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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