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|---|---|---|---|---|
8MHzLowPowerCMOS,EMIHardenedOperationalAmplifiers | NSCNational Semiconductor (TI) 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司 | NSC | ||
LMV851/LMV852/LMV8548MHzLowPowerCMOS,EMIHardenedOperationalAmplifiers | TI1Texas Instruments 德州儀器 | TI1 | ||
8MHzLowPowerCMOS,EMIHardenedOperationalAmplifiers | NSCNational Semiconductor (TI) 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司 | NSC | ||
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LMV851/LMV852/LMV8548MHzLowPowerCMOS,EMIHardenedOperationalAmplifiers | TI1Texas Instruments 德州儀器 | TI1 | ||
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8MHzLowPowerCMOS,EMIHardenedOperationalAmplifiers | NSCNational Semiconductor (TI) 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司 | NSC | ||
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LMV851/LMV852/LMV8548MHzLowPowerCMOS,EMIHardenedOperationalAmplifiers | TI1Texas Instruments 德州儀器 | TI1 |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-P+Darl
- 性質(zhì)：
功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
100V
- 最大電流允許值：
2.5A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BDT60(A...C),BDW54(A...D),2SB751(A,B),
- 最大耗散功率：
50W
- 放大倍數(shù)：
β>500
- 圖片代號(hào)：
B-10
- vtest：
100
- htest：
999900
- atest：
2.5
- wtest：
50
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
KEXIN/科信 |
23+ |
SMD DIP |
13000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢價(jià) | ||
KEXIN |
23+ |
SOT23 |
8560 |
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣! |
詢價(jià) | ||
SAM |
24+ |
DIP |
25 |
詢價(jià) | |||
6000 |
面議 |
19 |
SOP |
詢價(jià) | |||
2023+ |
SMD |
6695 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | |||
SAM |
23+ |
SOP-8 |
89630 |
當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
SAMSANG |
19+ |
DIP |
256800 |
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠； |
詢價(jià) | ||
SAMSUNG/三星 |
21+ |
DIP |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
SAMSUNG/三星 |
23+ |
NA/ |
18250 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票 |
詢價(jià) | ||
SAMSUNG |
23+24 |
DIP |
29850 |
原裝正品優(yōu)勢(shì)渠道價(jià)格合理.可開(kāi)13%增值稅發(fā)票 |
詢價(jià) |
