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C3199	文件：83.89 Kbytes Page：1 Pages	NPNPlastic-EncapsulatedTransistor FEATURES ?HighCurrentCapability ?HighDCCurrentGain ?SmallPackage APPLICATIONS ?AudioAmplifierApplications ?AMAmplifierApplications	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
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CXA3199TN	文件：161.77 Kbytes Page：11 Pages	WidebandPre-amplifier Description TheCXA3199TNisawidebandPre-amplifierforVTRhead. Features ?Operateonsingle+3.3Vpowersupply ?Lowpowerconsumption Read:45mW ?Ultrasmallpackage ?Wideband(–3dB):140MHz(typ) ?Readamplifieremitterfolloweroutputfeaturing380timesgain(typ). ?	SonySony Corporation 索尼	Sony
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E3199LF	文件：658.89 Kbytes Page：2 Pages	OscillatorSpecification	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類(lèi)制造商etc2未分類(lèi)制造商	etc2
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HX3199	文件：117.67 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR	HuashanSHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD 華汕電子器件汕頭華汕電子器件有限公司	Huashan
K3199	文件：49.03 Kbytes Page：2 Pages	Externaldimensions Sanken/MOSFET(2SK1177thru2SK3460)	SankenSanken electric 三墾三墾電氣株式會(huì)社	Sanken
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KTC3199	文件：137.88 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:400mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:150mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:50V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司	WINNERJOIN
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KTC3199-BL	文件：330.13 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeApplication Features ?HighDCCurrentGain:hFE=70~700 ?ExcellenthFELinearity:hFE(0.1mA)/hFE(2.0mA)=0.95(Typ) ?LowNoise:NF=1.0dB(Typ.),10dB(Max.) ?ComplementarytoKTA1267 ?Marking:C3199 ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoistureSensitivityLevel1 ?LeadFreeFinish/RoHSComp	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
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更多KTC3199L-Y-AT供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-9 17:52:00

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