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LM4953	文件：1.28558 Mbytes Page：19 Pages	PowerAmplifierSeriesGround-Referenced,UltraLowNoise,CeramicSpeakerDriver	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
LM4953	文件：1.21487 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH
LM4953SD	文件：663.73 Kbytes Page：11 Pages	Ground-Referenced,UltraLowNoise,CeramicSpeakerDriver	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導體美國國家半導體公司	NSC
LM4953SDBD	文件：1.28558 Mbytes Page：19 Pages	PowerAmplifierSeriesGround-Referenced,UltraLowNoise,CeramicSpeakerDriver	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
LPM4953	文件：389.37 Kbytes Page：6 Pages	Dual30VP-ChannelPowerTrenchMOSFET	POWERLowpower Semiconductor inc 微源半導體微源半導體股份有限公司	POWER
ME4953	文件：1.05582 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
MGF4953A	文件：205.79 Kbytes Page：5 Pages	SUPERLOWNOISEInGaAsHEMT(LeadlessCeramicPackage) DESCRIPTION TheMGF4953A/MGF4954Asuper-lownoiseHEMT(HighElectronMobilityTransistor)isdesignedforuseinCtoKbandamplifiers. Thelead-lessceramicpackageassuresminimumparasiticlosses. FEATURES Lownoisefigure@f=12GHz MGF4953A:NFmin.=0.40dB(Typ.) MGF49	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱電機三菱電機株式會社	Mitsubishi
MGF4953B	文件：119.6 Kbytes Page：5 Pages	SUPERLOWNOISEInGaAsHEMTLeadlessCeramicPackage DESCRIPTION TheMGF4953Bsuper-lownoiseHEMT(HighElectronMobilityTransistor)isdesignedforuseinKbandamplifiers. Thelead-lessceramicpackageassuresminimumparasiticlosses. FEATURES Lownoisefigure@f=20GHz NFmin.=0.55dB(Typ.) Highassociatedgain@f=20GHz	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱電機三菱電機株式會社	Mitsubishi
MI4953	文件：1.05563 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI

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