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L125中文資料Polyfet數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

L125
廠商型號(hào)

L125

功能描述

SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR

文件大小

38.42 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Polyfet RF Devices
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Polyfet

中文名稱

Polyfet RF Devices官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-2-22 20:00:00

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L125規(guī)格書詳情

15.0 Watts Single Ended Package Style SO8-1

HIGH EFFICIENCY, LINEAR HIGH GAIN, LOW NOISE

General Description

Silicon VDMOS and LDMOS

transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Militry Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.

Polyfet? process features low feedback and output capacitances resulting in high Ft transistors with high input impedance and high efficiency.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    L125

  • 制造商:

    Platt Luggage

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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