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L125中文資料Polyfet數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

L125
廠商型號

L125

功能描述

SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR

文件大小

38.42 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Polyfet RF Devices
企業(yè)簡稱

Polyfet

中文名稱

Polyfet RF Devices官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-4-26 16:38:00

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L125規(guī)格書詳情

15.0 Watts Single Ended Package Style SO8-1

HIGH EFFICIENCY, LINEAR HIGH GAIN, LOW NOISE

General Description

Silicon VDMOS and LDMOS

transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Militry Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.

Polyfet? process features low feedback and output capacitances resulting in high Ft transistors with high input impedance and high efficiency.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    L125

  • 制造商:

    Platt Luggage

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
polyfit
24+
SMD
12800
詢價
INTEL/英特爾
23+
13000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
詢價
INTEL
00+
BGA
6
原裝現(xiàn)貨海量庫存歡迎咨詢
詢價
JST/日壓
23+
NA/原裝
117000
代理-優(yōu)勢-原裝-正品-現(xiàn)貨*期貨
詢價
LSI
23+
QFP
50112
原裝正品現(xiàn)貨
詢價
LSI
22+
MODULE
25000
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Littelfuse力特/熔斷器
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