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L2801中文資料Polyfet數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

L2801
廠商型號

L2801

功能描述

SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR

文件大小

42.15 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Polyfet RF Devices
企業(yè)簡稱

Polyfet

中文名稱

Polyfet RF Devices官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-2 21:05:00

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L2801規(guī)格書詳情

15.0 Watts Single Ended Package Style S02

HIGH EFFICIENCY, LINEAR

HIGH GAIN, LOW NOISE

General Description

Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Militry Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
24+
DIP
16800
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