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L6389ED_集成電路（IC） 柵極驅(qū)動(dòng)器-意法半導(dǎo)體

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原廠料號(hào)：L6389ED品牌：STMicroelectronics

資料說明：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE HI/LO

L6389ED是集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器。制造商STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）的L6389ED柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能，這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號(hào)連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備（通常為 FET 或 IGBT）。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同，但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

  • 芯片型號(hào)：

    l6389ed

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 資料說明：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE HI/LO

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    L6389ED

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝：

    管件

  • 驅(qū)動(dòng)配置：

    半橋

  • 通道類型：

    獨(dú)立式

  • 柵極類型：

    IGBT，N 溝道，P 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    17V（最大）

  • 邏輯電壓?- VIL，VIH：

    1.1V，1.8V

  • 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：

    400mA，650mA

  • 輸入類型：

    反相

  • 上升/下降時(shí)間（典型值）：

    70ns，40ns

  • 工作溫度：

    -45°C ~ 125°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SOIC

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE HI/LO

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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