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MAX888ECJ	文件：257.019 Kbytes Page：20 Pages	WirelessandSatelliteHandsetPower-ManagementICs GeneralDescription TheMAX886/MAX888/MAX1863power-managementICsarecompletepowersystemsforwirelessandsatellitehandsets.Thedevicesoperatefrom3-to6-cellNiCd/NiMHbatteriesorfrom1-or2-celllithium-ion(Li+)batteries.Theyincorporateahigh-efficiency,step-downDC-DCconver	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
MZ888	文件：71.18 Kbytes Page：2 Pages	3WATTGLASSZENERDIODES FEATURES ●Microminiaturepackage. ●Voidlesshermeticallysealedglasspackage. ●Triplelayerpassivation. ●Metallurgicallybonded. ●Highperformancecharacteristics. ●Stableoperationattemperatureto200°C ●Verylowthermalimpedance.	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
N888	文件：107.62 Kbytes Page：9 Pages	HIGHCURRENT,HIGHPERFORMANCE,LOWVOLTAGEPNPTRANSISTOR Description ThedeviceismanufacturedinlowvoltagePNPPlanarTechnologybyusinga“BaseIsland”layout.Theresultingtransistorshowsexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage. Features ■VERYLOWCOLLECTORTOEMITTERSATURATIONVOLTAGE ■D.C.CURRENTGAI	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團	STMICROELECTRONICS
NTE888	文件：25.95 Kbytes Page：3 Pages	IntegratedCircuitLowPowerProgrammableOperationalAmplifier Description: TheNTE888Misanoperationalamplifierinan8–LeadDIPtypepackagefeaturinglowpowerconsumptionandhighinputimpedance.Inaddition,thequiescentcurrentswithinthisdevicemaybeprogrammedbythechoiceofanexternalresistorvalueorcurrentsourceappliedtotheISETi	NTE NTE Electronics	NTE
NTE888M	文件：25.95 Kbytes Page：3 Pages	IntegratedCircuitLowPowerProgrammableOperationalAmplifier Description: TheNTE888Misanoperationalamplifierinan8–LeadDIPtypepackagefeaturinglowpowerconsumptionandhighinputimpedance.Inaddition,thequiescentcurrentswithinthisdevicemaybeprogrammedbythechoiceofanexternalresistorvalueorcurrentsourceappliedtotheISETi	NTE NTE Electronics	NTE
RGB888	文件：2.38124 Mbytes Page：60 Pages	DisplayController	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
SFS888	文件：146.05 Kbytes Page：2 Pages	20AMPS15-200VOLTSSILICONCONTROLLEDRECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SIR888DP	文件：136.2 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel25-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIS888DN	文件：209.14 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel150V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SN888C	文件：434.02 Kbytes Page：22 Pages	Bus-PolarityCorrectingRS-485TransceiverforE-Meters	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
SN888CD	文件：434.02 Kbytes Page：22 Pages	Bus-PolarityCorrectingRS-485TransceiverforE-Meters	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
SN888CDR	文件：434.02 Kbytes Page：22 Pages	Bus-PolarityCorrectingRS-485TransceiverforE-Meters	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
STD888	文件：127.73 Kbytes Page：6 Pages	HIGHCURRENT,HIGHPERFORMANCE,LOWVOLTAGEPNPTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedinlowvoltagePNPPlanarTechnologybyusingaBaseIslandlayout. TheresultingTransistorshowsexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage. ■VERYLOWCOLLECTORTOEMITTERSATURATIONVOLTAGE ■DCCURRENTGAIN,hFE>100	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團	STMICROELECTRONICS
STD888	文件：227.61 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=-0.7V(Max)(IC=-5A;IB=-0.25A) ?DCCurrentGain-hFE=150(Min)@IC=-0.5A ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Poweramplifierapplications ?Voltageregulat	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
STD888	文件：132.29 Kbytes Page：3 Pages	HIGHCURRENT,HIGHPERFORMANCE,LOWVOLTAGEPNPTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCSTD888isahighcurrent,highperformance,lowvoltagePNPtransistor;itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomershighDCcurrentgainandverylowsaturationvoltage. TheUTCSTD888issuitableforswitchingregulatorinbatterychargerapplications,heavyload	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
STN888	文件：107.62 Kbytes Page：9 Pages	HIGHCURRENT,HIGHPERFORMANCE,LOWVOLTAGEPNPTRANSISTOR Description ThedeviceismanufacturedinlowvoltagePNPPlanarTechnologybyusinga“BaseIsland”layout.Theresultingtransistorshowsexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage. Features ■VERYLOWCOLLECTORTOEMITTERSATURATIONVOLTAGE ■D.C.CURRENTGAI	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團	STMICROELECTRONICS
TLE888	文件：299.97 Kbytes Page：2 Pages	FlexibleLINalternatorregulatorICfamily	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
TLE888X	文件：299.97 Kbytes Page：2 Pages	FlexibleLINalternatorregulatorICfamily	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
TSC888	文件：104.2 Kbytes Page：7 Pages	Lowcosthigh-sidecurrentsenseamplifier	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團	STMICROELECTRONICS
TSC888AILT	文件：104.2 Kbytes Page：7 Pages	Lowcosthigh-sidecurrentsenseamplifier	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團	STMICROELECTRONICS

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詳細參數(shù)

型號：
LB888
制造商：
Thomas & Betts
功能描述：
3 CONDUIT BODY,GRAY IRON,LB,F-8
功能描述：
Fittings Elbow 3inch Iron

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