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MGS13002D	文件：138.69 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor InsulatedGateBipolarTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisIGBTcontainsabuilt–infreewheelingdiodeandagateprotectionzenerdiodes.Fastswitchingcharacteristicsresultinefficientoperationathigherfrequencies.Thisdeviceisideallysuitedforhighfrequencyele	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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