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LGD8209TI
廠商型號(hào)

LGD8209TI

功能描述

410 V, 12 A N-Channel Ignition IGBT

絲印標(biāo)識(shí)

LGD8209G

封裝外殼

DPAK

文件大小

323.36 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 littelfuse
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Littelfuse力特

中文名稱

力特公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-24 22:52:00

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LGD8209TI規(guī)格書(shū)詳情

Description

This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include motorbike ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and high current switching is required.

Features

? Ideal for Coil-on-Plug Applications

? DPAK Package Offers Smaller Footprint and Increased Board Space

? Gate-Emitter ESD Protection

? Temperature Compensated Gate-Collector Voltage Clamp Limits Stress Applied to Load

? Low Saturation Voltage

? High Pulsed Current Capability

? These are Pb-Free Devices

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
HAR
23+
DIP-14
6500
全新原裝假一賠十
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LG
24+
BGA
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明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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02+
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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