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LLE16120X中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

LLE16120X
廠商型號

LLE16120X

功能描述

NPN microwave power transistor

文件大小

74.84 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-12-25 13:59:00

LLE16120X規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a SOT437A glued cap metal ceramic flange package, with emitter connected to flange.

FEATURES

? Diffused emitter ballasting resistors providing excellent current sharing and withstanding a high VSWR

? Interdigitated structure provides high emitter efficiency

? Gold metallization realizes very good stability of the characteristics and excellent lifetime

? Multicell geometry gives good balance of dissipated power and low thermal resistance

? Internal input prematching ensures good stability and allows an easier design of wideband circuits.

APPLICATIONS

Intended for use in common emitter, class AB power amplifiers in CW conditions for professional applications at 1.65 GHz.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    LLE16120X

  • 制造商:

    PHILIPS

  • 制造商全稱:

    NXP Semiconductors

  • 功能描述:

    NPN microwave power transistor

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
PHILIPS/飛利浦
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