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LM5112SD集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器規(guī)格書PDF中文資料

LM5112SD
廠商型號

LM5112SD

參數(shù)屬性

LM5112SD 封裝/外殼為6-WDFN 裸露焊盤;包裝為管件;類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON

功能描述

Tiny 7A MOSFET Gate Driver
IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON

封裝外殼

6-WDFN 裸露焊盤

文件大小

940.61 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 Texas Instruments
企業(yè)簡稱

TI1德州儀器

中文名稱

德州儀器官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-9 14:20:00

LM5112SD規(guī)格書詳情

LM5112SD屬于集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器。由德州儀器制造生產(chǎn)的LM5112SD柵極驅(qū)動器柵極驅(qū)動器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    LM5112SD

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝:

    管件

  • 驅(qū)動配置:

    低端

  • 通道類型:

    單路

  • 柵極類型:

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    3.5V ~ 14V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    0.8V,2.3V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    3A,7A

  • 輸入類型:

    反相,非反相

  • 上升/下降時間(典型值):

    14ns,12ns

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    6-WDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    6-WSON(3x3)

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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