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LMG1210RVRR集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
LMG1210RVRR |
參數(shù)屬性 | LMG1210RVRR 封裝/外殼為19-WFQFN 裸露焊盤;包裝為管件;類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR GAN MOSFET |
功能描述 | 200-V, 1.5-A, 3-A Half-Bridge GaN Driver With Adjustable Dead Time |
封裝外殼 | 19-WFQFN 裸露焊盤 |
文件大小 |
601.79 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
23 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Texas Instruments |
企業(yè)簡稱 |
TI1【德州儀器】 |
中文名稱 | 美國德州儀器公司官網(wǎng) |
原廠標識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-5-22 17:42:00 |
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產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
LMG1210RVRR
- 制造商:
Texas Instruments
- 類別:
集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動器
- 包裝:
管件
- 驅(qū)動配置:
半橋
- 通道類型:
獨立式
- 柵極類型:
N 溝道 MOSFET
- 電壓 - 供電:
4.75V ~ 5.25V,6V ~ 18V
- 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):
1.5A,3A
- 輸入類型:
非反相
- 上升/下降時間(典型值):
500ps,500ps
- 工作溫度:
-40°C ~ 125°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝,可潤濕側(cè)翼
- 封裝/外殼:
19-WFQFN 裸露焊盤
- 供應商器件封裝:
19-WQFN(3x4)
- 描述:
IC GATE DRVR GAN MOSFET
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州儀器 |
24+ |
WQFN-19 |
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TI(德州儀器) |
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TI(德州儀器) |
24+ |
WQFN19 |
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