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LP6836P100-2

Packaged 0.25W Power PHEMT

DESCRIPTIONANDAPPLICATIONS TheLP6836P100isapackagedAluminumGalliumArsenide/IndiumGalliumArsenide(AlGaAs/InGaAs)PseudomorphicHighElectronMobilityTransistor(PHEMT),utilizinganElectron-Beamdirect-write0.25μmby360μmSchottkybarriergate.Therecessed“mushroom”gatestru

FILTRONIC

Filtronic Compound Semiconductors

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更多LP6836P100-2供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-27 9:19:00

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