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LP802中文資料Polyfet數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

LP802
廠商型號(hào)

LP802

功能描述

SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR

文件大小

35.74 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Polyfet RF Devices
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Polyfet

中文名稱

Polyfet RF Devices官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-18 20:00:00

LP802規(guī)格書(shū)詳情

General Description

Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Militry Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.

Polyfet process features low feedback and output capacitances resulting in high Ft transistors with high input impedance and high efficiency.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    LP802

  • 制造商:

    POLYFET

  • 制造商全稱:

    Polyfet RF Devices

  • 功能描述:

    SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
POLYFET
24+
NA
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