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MMBT5551LT1

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR

HIGHVOLTAGETRANSISTOR ●CollectorDissipation:Pc-225mW(Ta=25°) ●Collector-EmillerVoltage:VCEO=160V

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司

MMBT5551LT1

HighVoltageTransistors(NPNSilicon)

HighVoltageTransistors NPNSilicon Features ?Pb?FreePackagesareAvailable

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MMBT5551LT1

HighVoltageTransistors

HighVoltageTransistors NPNSilicon

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MMBT5551LT1

HighVoltageTransistors(NPNSilicon)

HighVoltageTransistors NPNSilicon

LRCLeshan Radio Company

樂山無線電樂山無線電股份有限公司

MMBT5551LT1

NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR

Description TheMMBT5551LT1isdesignedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighBreakdownVoltages.

TGS

Tiger Electronic Co.,Ltd

MMBT5551LT1

SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.3W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:180V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

AVICTEK

Avic Technology

MMBT5551LT1

HighVoltageTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MMBT5551LT1G

HighVoltageTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MMBT5551LT1G

HighVoltageTransistors

HighVoltageTransistors NPNSilicon Features ?SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC?Q101Qualifiedand PPAPCapable ?TheseDevicesarePb?Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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HighVoltageTransistorsNPNSilicon

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
LED深圳
2023+
SMD
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一級代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
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LED深圳
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LED深圳
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鄭重承諾只做原裝進(jìn)口貨
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LED深圳
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LED深圳
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990000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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SC-74
6000
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SOT-23
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原裝正品現(xiàn)貨
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三年內(nèi)
1983
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LRC/樂山
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SOT-23-6
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
更多LSBT5551LT1G供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-23 13:30:00

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