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LT1001MH	文件：326.56 Kbytes Page：12 Pages	PrecisionOperationalAmplifier	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導(dǎo)體	LINER
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LTV-1001	文件：357.96 Kbytes Page：13 Pages	Photocoupler	LITEONLite-On Technology Corporation 光寶科技光寶科技股份有限公司	LITEON
MBR1001	文件：35.03 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS FEATURES ●Surgeoverload-240~500amperespeak ●Lowforwardvoltagedrop ●Mountingposition:Any ●Electricallyisolatedbase-2000Volts ●Solderable0.25FASTONterminals ●MaterialsusedcarriesU/Lrecognition	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
MBR1001	文件：39.46 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS FEATURES ●Surgeoverload-240~500amperespeak ●Lowforwardvoltagedrop ●Mountingposition:Any ●Electricallyisolatedbase-2000Volts ●Solderable0.25FASTONterminals ●MaterialsusedcarriesU/Lrecognition	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
MBR1001	文件：92.39 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS FEATURES ●Surgeoverload-240~500amperespeak ●Lowforwardvoltagedrop ●Mountingposition:Any ●Electricallyisolatedbase-2000Volts ●Solderable0.25FASTONterminals ●MaterialsusedcarriesU/Lrecognition	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
MBR1001	文件：402.55 Kbytes Page：3 Pages	SiliconBridgeRectifiers	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
MBR1001W	文件：354.58 Kbytes Page：3 Pages	SiliconBridgeRectifiers	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
MBR-W1001	文件：96.02 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
MC1001	文件：192.11 Kbytes Page：4 Pages	6-INPUTGATES	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MDDKBJ1001	文件：1.06256 Mbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERS Features Surgeoverloadrating-210amperespeak Idealforprintedcircuitboard Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechnique PlasticmaterialhasU/Llammabilityclassification94V-0	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 深圳辰達(dá)半導(dǎo)體深圳辰達(dá)半導(dǎo)體有限公司	CHENDA
MG1001	文件：210.66 Kbytes Page：4 Pages	GUNNDiodesCathodeHeatSink	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MHT1001H	文件：551.84 Kbytes Page：10 Pages	RFPowerLDMOSTransistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
MJ1001	文件：139.27 Kbytes Page：4 Pages	Medium-PowerComplementarySiliconTransistors Medium-PowerComplementarySiliconTransistors ...foruseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. ?HighDCCurrentGain—hFE=6000(Typ)@IC=3.0Adc ?MonolithicConstructionwithBuilt–inBase–EmitterShuntResistors	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MJ1001	文件：54.14 Kbytes Page：1 Pages	PowerTransistors PowerTransistors TO-3Case(Continued)	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體	Central
MJ1001	文件：74.35 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MJ1001	文件：175.78 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYPOWERDARLINGTONS TheMJ900,MJ901,MJ1000andMJ1001aresiliconepitaxial-bastransistorsinmonolithic Darlingtonconfiguration,andaremountedinJEDECTO-3metalcase. Theyareintendedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. TheircomplementaryNPNtypesaretheMJ1000andMJ1001respectively.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
MJ1001	文件：118.78 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3package ·DARLINGTON ·HighDCcurrentgain ·ComplementtotypeMJ900/901 APPLICATIONS ·Foruseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
MJ1001	文件：78.25 Kbytes Page：3 Pages	COMPLEMENTARYPOWERDARLINGTONS	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
MJ1001	文件：120.39 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC

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更多LT1001H供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-16 10:50:00

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