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LT1991IMS-PBF	文件：279.1 Kbytes Page：28 Pages	Precision,100關(guān)AGainSelectableAmplifier	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導(dǎo)體	LINER
LT1991IMS-TRPBF	文件：279.1 Kbytes Page：28 Pages	Precision,100關(guān)AGainSelectableAmplifier	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導(dǎo)體	LINER
LTCT1991CDD-TRPBF	文件：279.1 Kbytes Page：28 Pages	Precision,100關(guān)AGainSelectableAmplifier	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導(dǎo)體	LINER
LX1991	文件：277.38 Kbytes Page：9 Pages	SixOutputProgrammableLEDCurrentSink	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
LX1991ILQ	文件：277.38 Kbytes Page：9 Pages	SixOutputProgrammableLEDCurrentSink	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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MDE1991RH	文件：1.0084 Mbytes Page：6 Pages	SingleN-channelTrenchMOSFET100V,120A,4.4m(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP1991	文件：1.1182 Mbytes Page：6 Pages	SingleN-channelTrenchMOSFET100V,120A,5.9mΩ GeneralDescription TheMDP1991usesadvancedMagnachip’sMOSFET Technology,whichprovideshighperformanceinon-state resistance,fastswitchingperformanceandexcellent quality.MDP1991issuitabledeviceforDC/DCConverter andgeneralpurposeapplications. Features ?VDS=100V ?	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP1991TH	文件：1.1182 Mbytes Page：6 Pages	SingleN-channelTrenchMOSFET100V,120A,5.9mΩ GeneralDescription TheMDP1991usesadvancedMagnachip’sMOSFET Technology,whichprovideshighperformanceinon-state resistance,fastswitchingperformanceandexcellent quality.MDP1991issuitabledeviceforDC/DCConverter andgeneralpurposeapplications. Features ?VDS=100V ?	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
TA1991A	文件：477.13 Kbytes Page：7 Pages	SAWRxFilter2605MHzLTEBand41SMD1109(100MHzBW)	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
W1991	文件：991.2 Kbytes Page：13 Pages	LTEStealthBladeAntenna	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse
W1991AV	文件：991.2 Kbytes Page：13 Pages	LTEStealthBladeAntenna	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse
XENT1991	文件：145.37 Kbytes Page：2 Pages	PENDANTSTATIONCONTACT240VAC3AXE	SCHNEIDERSchneider Electric 施耐德施耐德電氣	SCHNEIDER

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