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LVE21050R中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

LVE21050R
廠商型號

LVE21050R

功能描述

NPN microwave power transistor

文件大小

63.78 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-11-16 22:59:00

LVE21050R規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a SOT445A metal ceramic flange package with the emitter connected to the flange.

FEATURES

? Diffused emitter ballasting resistors provide excellent current sharing and withstanding a high VSWR

? Self-aligned process entirely ion implanted

? Gold metallization ensures an optimum temperature profile with excellent performance and reliability

? Input matching cell improves input impedance and allows an easier design of wideband circuits.

APPLICATIONS

? Common emitter class-A linear power amplifiers up to 4.2 GHz.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    LVE21050R

  • 制造商:

    PHILIPS

  • 制造商全稱:

    NXP Semiconductors

  • 功能描述:

    NPN microwave power transistor

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
VISHAY/威世
23+
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