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LXE16350X中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

LXE16350X
廠商型號

LXE16350X

功能描述

NPN microwave power transistor

文件大小

88.61 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-31 23:00:00

LXE16350X規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a SOT439A metal ceramic package, with emitter connected to flange.

FEATURES

? Diffused emitter ballasting resistors providing excellent current sharing and withstanding a high VSWR

? Interdigitated structure provides high emitter efficiency

? Gold metallization realizes very good stability of the characteristics and excellent lifetime

? Multicell geometry gives good balance of dissipated power and low thermal resistance

? Internal input and output prematching ensures good stability and allows an easier design of wideband circuits.

APPLICATIONS

Common emitter class AB power amplifiers for military and professional applications at 1.65 GHz.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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