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LZ1418E100R分立半導體產品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
LZ1418E100R |
| 參數屬性 | LZ1418E100R 封裝/外殼為SOT-443A；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產品描述：RF TRANS NPN 20V 1.6GHZ CDFM2 |
| 功能描述 | NPN microwave power transistor |
| 封裝外殼 | SOT-443A |
| 文件大小 |
66.77 Kbytes |
| 頁面數量 |
12 頁 |
| 生產廠商 | NXP Semiconductors |
| 企業(yè)簡稱 |
Philips【飛利浦】 |
| 中文名稱 | 荷蘭皇家飛利浦官網 |
| 原廠標識 |  |
| 數據手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-10 14:15:00 |
LZ1418E100R規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a SOT443A metal ceramic flange package with the emitter connected to the flange.
FEATURES
? Interdigitated structure provides high emitter efficiency
? Diffused emitter ballasting resistor provides excellent current sharing and withstanding a high VSWR
? Gold metallization realizes very stable characteristics and excellent lifetime
? Multicell geometry gives good balance of dissipated power and low thermal resistance
? Internal input and output prematching ensures good stability and allows an easier design of wideband circuits.
APPLICATIONS
? Common emitter class A amplifiers in CW conditions for military and professional applications between 1.4 to 1.8 GHz.
產品屬性
- 產品編號：
LZ1418E100R,114
- 制造商：
Ampleon USA Inc.
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
20V
- 頻率 - 躍遷：
1.6GHz
- 功率 - 最大值：
45W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
15 @ 2A，3V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
4A
- 工作溫度：
200°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
SOT-443A
- 供應商器件封裝：
CDFM2
- 描述：
RF TRANS NPN 20V 1.6GHZ CDFM2
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
國產 |
18 |
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