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M02N60B	文件：221.2 Kbytes Page：5 Pages	N Channel MOSFET FEATURE RobustHighVoltageTemination. AvalancheEnergySpecified Source-toDrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscreteFastRecoveryDiode DiodeisCharacterizedforUseinBridgeCircurits IDSSandVDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature	STANSON Stanson Technology	STANSON
NDD02N60Z	文件：146.41 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET600V,4.8	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NDD02N60Z	文件：299.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NDF02N60Z	文件：168.55 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET600V,4.0	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NDF02N60Z	文件：148.07 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NDF02N60Z	文件：146.41 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET600V,4.8	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NDF02N60Z	文件：319.52 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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NDF02N60ZG	文件：1.99553 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
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NDF02N60ZH	文件：148.07 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NDP02N60Z	文件：372.34 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NDP02N60ZG	文件：168.55 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET600V,4.0	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NDT02N60Z	文件：110.29 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
PJM02N60SA	文件：1.44682 Mbytes Page：7 Pages	N-EnhancementModeFieldEffectTransistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半導(dǎo)體東莞市平晶半導(dǎo)體科技有限公司	PJSEMI
SDU02N60	文件：1.08613 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SDUD02N60	文件：161.17 Kbytes Page：11 Pages	SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON).	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
SGB02N60	文件：798.16 Kbytes Page：11 Pages	FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
M02N60B
制造商：
STANSON
制造商全稱：
STANSON
功能描述：
N Channel MOSFET

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	M02N65F	GD/兆易創(chuàng)新	23+	LQFP-100	69820	終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	M02N65F	UBIQ	23+	TO220F	13000	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種	詢價(jià)
深圳市明盛嘉電子科技有限公司	M02Q4VLC	FREESCALE	21+	LQFP32	5000	原裝現(xiàn)貨/假一賠十/支持第三方檢驗(yàn)	詢價(jià)
深圳廊盛科技有限公司	M02Q4VLC	FREESCALE	2022	LQFP32	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價(jià)
深圳市匯萊威科技有限公司	M02Q4VLC		FREESCALE	LQFP32	68900	原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!	詢價(jià)
深圳市晨豪科技有限公司	M02Q4VLC	FREESCALE	23+	QFP-32	89630	當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
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深圳市向鴻偉業(yè)電子有限公司	M02Q5VLC	FREESCALE	2407+	QFP32	7750	原裝現(xiàn)貨!實(shí)單直說!特價(jià)!	詢價(jià)
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更多M02N60B供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-27 11:00:00

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