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M10042040108X0IWAY集成電路(IC)存儲器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
M10042040108X0IWAY |
參數(shù)屬性 | M10042040108X0IWAY 封裝/外殼為8-WDFN 裸露焊盤;包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC) > 存儲器;產(chǎn)品描述:IC RAM 4MBIT 108MHZ 8DFN |
功能描述 | High Performance Serial MRAM Memory |
文件大小 |
1.14047 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
52 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-11-20 16:19:00 |
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Features
? Interface
? Serial Peripheral Interface QSPI (4-4-4)
? Single Data Rate Mode: 108MHz
? Double Data Rate Mode: 54MHz
? Technology
? 40nm pMTJ STT-MRAM
Virtually unlimited Endurance and Data Retention (see
Endurance and Data Retention specification in Table 31)
? Density
? 4Mb, 8Mb, 16Mb
? Operating Voltage Range
? VCC: 1.71V – 2.00V
? VCC: 2.70V – 3.60V
? Operating Temperature Range
? Industrial: -40°C to 85°C
? Industrial Plus: -40°C to 105°C
? Packages
? 8-pad DFN (WSON) (5.0mm x 6.0mm)
? 8-pin SOIC (5.2mm x 5.2mm)
? Data Protection
? Hardware Based: Write Protect Pin (WP#)
Software Based: Address Range Selectable through
Configuration bits (Top/Bottom, Block Protect[2:0])
M10042040108X0IWAY屬于集成電路(IC) > 存儲器。瑞薩科技有限公司制造生產(chǎn)的M10042040108X0IWAY存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
M10042040108X0IWAY
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
卷帶(TR)
- 存儲器類型:
非易失
- 存儲器格式:
RAM
- 技術(shù):
MRAM(磁阻式 RAM)
- 存儲容量:
4Mb(1M x 4)
- 電壓 - 供電:
1.71V ~ 2V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
8-WDFN 裸露焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝:
8-DFN(5x6)
- 描述:
IC RAM 4MBIT 108MHZ 8DFN
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INTEL |
2020+ |
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