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M10042040108X0PWAR 集成電路（IC）存儲(chǔ)器 RENESAS/瑞薩

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原廠料號(hào)：M10042040108X0PWAR品牌：RENESAS(瑞薩)/IDT

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M10042040108X0PWAR是集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器。制造商RENESAS(瑞薩)/IDT/Renesas Electronics America Inc生產(chǎn)封裝DFN-8(5x6)/8-WDFN 裸露焊盤的M10042040108X0PWAR存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

  • 芯片型號(hào)：

    M10042040108X0PWAR

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    RENESAS【瑞薩】詳情

  • 廠商全稱：

    Renesas Technology Corp

  • 中文名稱：

    瑞薩科技有限公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    52 頁(yè)

  • 文件大小：

    1140.47 kb

  • 資料說(shuō)明：

    High Performance Serial MRAM Memory

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    M10042040108X0PWAR

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型：

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    RAM

  • 技術(shù)：

    MRAM（磁阻式 RAM）

  • 存儲(chǔ)容量：

    4Mb（1M x 4）

  • 電壓 - 供電：

    1.71V ~ 2V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 105°C

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-WDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-DFN（5x6）

  • 描述：

    IC RAM 4MBIT 108MHZ 8DFN

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市芯祺盛科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    黃小姐

  • 手機(jī)：

    18218024427

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    18218024427

  • 傳真：

    086-0755-82569753

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路3037號(hào)南光捷佳大廈511

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