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M10082040054X0PSAY集成電路(IC)存儲器規(guī)格書PDF中文資料

M10082040054X0PSAY
廠商型號

M10082040054X0PSAY

參數(shù)屬性

M10082040054X0PSAY 封裝/外殼為8-SOIC(0.209",5.30mm 寬);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC) > 存儲器;產(chǎn)品描述:IC RAM 8MBIT 54MHZ 8SOIC

功能描述

High Performance Serial MRAM Memory
IC RAM 8MBIT 54MHZ 8SOIC

文件大小

1.14047 Mbytes

頁面數(shù)量

52

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2024-11-20 16:30:00

M10082040054X0PSAY規(guī)格書詳情

Features

? Interface

? Serial Peripheral Interface QSPI (4-4-4)

? Single Data Rate Mode: 108MHz

? Double Data Rate Mode: 54MHz

? Technology

? 40nm pMTJ STT-MRAM

Virtually unlimited Endurance and Data Retention (see

Endurance and Data Retention specification in Table 31)

? Density

? 4Mb, 8Mb, 16Mb

? Operating Voltage Range

? VCC: 1.71V – 2.00V

? VCC: 2.70V – 3.60V

? Operating Temperature Range

? Industrial: -40°C to 85°C

? Industrial Plus: -40°C to 105°C

? Packages

? 8-pad DFN (WSON) (5.0mm x 6.0mm)

? 8-pin SOIC (5.2mm x 5.2mm)

? Data Protection

? Hardware Based: Write Protect Pin (WP#)

Software Based: Address Range Selectable through

Configuration bits (Top/Bottom, Block Protect[2:0])

M10082040054X0PSAY屬于集成電路(IC) > 存儲器。瑞薩科技有限公司制造生產(chǎn)的M10082040054X0PSAY存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    M10082040054X0PSAY

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    RAM

  • 技術(shù):

    MRAM(磁阻式 RAM)

  • 存儲容量:

    8Mb(2M x 4)

  • 電壓 - 供電:

    1.71V ~ 2V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 105°C

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.209",5.30mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC RAM 8MBIT 54MHZ 8SOIC

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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