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WCM2002-6/TR

Marking：M2；Package：SOT-363；N- and P- Channel, 20V, Small signal MOSFET

WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd.Shanghai

韋爾股份上海韋爾半導(dǎo)體股份有限公司

ASM24BC-HF

Marking：M24BC；Package：SOT-23；SMD ESD Protection Diode

Features -Workingvoltage:VRWM=24V. -AEC-Q101Qualified. -ESD/transientprotectionofhighspeeddatalines. IEC61000-4-2(ESD):±30kV(air),±30kV(contact).

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

BM2SC125FP2-LBZE2

Marking：M2SC125FP；Package：TO263-7L；Quasi-resonant AC/DC Converter Built-in 1700 V SiC-MOSFET

Features ?LongTimeSupportProductforIndustrialApplications ?TO263-7LPackage ?Built-in1700VSiC-MOSFET ?Quasi-resonantType(LowEMI) ?FrequencyReductionFunction ?LowCurrentConsumption(19μA)duringStandby ?BurstOperationatLightLoad ?SOURCEPinLeadingEdgeBlankin

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

CPDT-20VUB-HF

Marking：M20；Package：SOT-23；SMD ESD Protection Diode

Features -Workingvoltages:3.3V~36V -Lowleakagecurrent. -Lowclampingvoltage. -IEC61000-4-2(ESD)±15kV(air),±8kV(contact). -IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns). -Protectsonebidirectionallineortwo unidirectionallines. -350Wpeakpulsepowerper(tp=8/20μs).

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

CPDT-24VUB-HF

Marking：M24；Package：SOT-23；SMD ESD Protection Diode

Features -Workingvoltages:3.3V~36V -Lowleakagecurrent. -Lowclampingvoltage. -IEC61000-4-2(ESD)±15kV(air),±8kV(contact). -IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns). -Protectsonebidirectionallineortwo unidirectionallines. -350Wpeakpulsepowerper(tp=8/20μs).

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

DMT47M2LDV-13

Marking：M2D；Package：PowerDI3333-8；DUAL 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DescriptionandApplications ThisnewgenerationMOSFETisdesignedtominimizetheon-state resistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance, makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. ?MotorControl ?PowerManagementFunctions ?DC-DCConverter

DIODES

Diodes Incorporated

DMT47M2LDV-7

Marking：M2D；Package：PowerDI3333-8；DUAL 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DescriptionandApplications ThisnewgenerationMOSFETisdesignedtominimizetheon-state resistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance, makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. ?MotorControl ?PowerManagementFunctions ?DC-DCConverter

DIODES

Diodes Incorporated

DMT47M2LDVQ-13

Marking：M2D；Package：PowerDI3333-8；DUAL 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DescriptionandApplications ThisMOSFETisdesignedtomeetthestringentrequirementsof Automotiveapplications.ItisqualifiedtoAEC-Q101,supportedbya PPAPandisidealforusein: ?MotorControl ?PowerManagementFunctions ?DC-DCConverters Features ?100UnclampedInductive

DIODES

Diodes Incorporated

DMT47M2LDVQ-7

Marking：M2D；Package：PowerDI3333-8；DUAL 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DescriptionandApplications ThisMOSFETisdesignedtomeetthestringentrequirementsof Automotiveapplications.ItisqualifiedtoAEC-Q101,supportedbya PPAPandisidealforusein: ?MotorControl ?PowerManagementFunctions ?DC-DCConverters Features ?100UnclampedInductive

DIODES

Diodes Incorporated

DMT47M2SFVWQ-13

Marking：M2S；Package：PowerDI3333-8；40V 150°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DescriptionandApplications ThisMOSFETisdesignedtomeetthestringentrequirementsof Automotiveapplications.ItisqualifiedtoAEC-Q101,supportedbya PPAPandisidealforusein: ?MotorControl ?PowerManagementFunctions ?DC-DCConverters FeaturesandBenefits ?Excellent

DIODES

Diodes Incorporated

替換型號

晶體管資料

  • 型號：

    M21C,CA

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    50HZ－Thy

  • 性質(zhì)：

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    200V

  • 最大電流允許值：

    0.3A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BRX45,BRX46,BRX47,BRX48,BRX49,BRX50,BRX51,BRX52,BRX53,BRX54,BRX55,BRX56,BRY55,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    A-20

  • vtest：

    200

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.3

  • wtest：

    0

詳細參數(shù)

  • 型號：

    M2

  • 制造商：

    Autec Power Systems

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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SMA
2000
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成
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89000
原裝正品 可含稅交易
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更多M2供應(yīng)商 更新時間2025-4-24 18:21:00

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