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M29DW128F70NF6E

128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory

Featuressummary ■SupplyVoltage –VCC=2.7Vto3.6VforProgram,Eraseand Read –VCCQ=1.65Vto3.6VforInput/Output –VPP=12VforFastProgram(optional) ■ASYNCHRONOUSRANDOM/PAGEREAD –PageWidth:8Words –PageAccess:25,30ns –RandomAccess:60,70ns ■PROGRAMMINGTIME –1

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

M29DW128F70NF6E

128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V supply Flash memory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

M29DW128F70NF6E

128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V supply Flash memory

NUMONYX

numonyx

M29DW128F70NF6E

包裝：管件 封裝/外殼：56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

M29DW128F70NF6

128Mbit(16Mbx8or8Mbx16,MultipleBank,Page,BootBlock)3VsupplyFlashmemory

NUMONYX

numonyx

M29DW128F70NF6

128Mbit(16Mbx8or8Mbx16,MultipleBank,Page,BootBlock)3VsupplyFlashmemory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

M29DW128F70NF6

128Mbit(16Mbx8or8Mbx16,MultipleBank,Page,BootBlock)3VSupply,FlashMemory

Featuressummary ■SupplyVoltage –VCC=2.7Vto3.6VforProgram,Eraseand Read –VCCQ=1.65Vto3.6VforInput/Output –VPP=12VforFastProgram(optional) ■ASYNCHRONOUSRANDOM/PAGEREAD –PageWidth:8Words –PageAccess:25,30ns –RandomAccess:60,70ns ■PROGRAMMINGTIME –1

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

M29DW128F70NF6F

128Mbit(16Mbx8or8Mbx16,MultipleBank,Page,BootBlock)3VSupply,FlashMemory

Featuressummary ■SupplyVoltage –VCC=2.7Vto3.6VforProgram,Eraseand Read –VCCQ=1.65Vto3.6VforInput/Output –VPP=12VforFastProgram(optional) ■ASYNCHRONOUSRANDOM/PAGEREAD –PageWidth:8Words –PageAccess:25,30ns –RandomAccess:60,70ns ■PROGRAMMINGTIME –1

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

M29DW128F70NF6F

128Mbit(16Mbx8or8Mbx16,MultipleBank,Page,BootBlock)3VsupplyFlashmemory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

M29DW128F70NF6F

128Mbit(16Mbx8or8Mbx16,MultipleBank,Page,BootBlock)3VsupplyFlashmemory

NUMONYX

numonyx

M29DW128F70NF6T

128Mbit(16Mbx8or8Mbx16,MultipleBank,Page,BootBlock)3VsupplyFlashmemory

NUMONYX

numonyx

M29DW128F70NF6T

128Mbit(16Mbx8or8Mbx16,MultipleBank,Page,BootBlock)3VsupplyFlashmemory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

M29DW128F70NF6T

128Mbit(16Mbx8or8Mbx16,MultipleBank,Page,BootBlock)3VSupply,FlashMemory

Featuressummary ■SupplyVoltage –VCC=2.7Vto3.6VforProgram,Eraseand Read –VCCQ=1.65Vto3.6VforInput/Output –VPP=12VforFastProgram(optional) ■ASYNCHRONOUSRANDOM/PAGEREAD –PageWidth:8Words –PageAccess:25,30ns –RandomAccess:60,70ns ■PROGRAMMINGTIME –1

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

產品屬性

  • 產品編號：

    M29DW128F70NF6E

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術：

    FLASH - NOR

  • 存儲容量：

    128Mb（16M x 8，8M x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    70ns

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）

  • 供應商器件封裝：

    56-TSOP

  • 描述：

    IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Numonyx
20+
TSOP-48
2960
誠信交易大量庫存現(xiàn)貨
 詢價
Micron Technology Inc.
24+
56-TSOP(14x20)
56200
一級代理/放心采購
 詢價
ST
06+
TSOP
150
優(yōu)勢
 詢價
NUYX
24+
56TSOP
28500
授權代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特價銷售
 詢價
ST
2021+
TSOP56
100500
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨
 詢價
MICRON
20+
TSOP-56
1001
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!
 詢價
Micron
22+
56TSOP (14x20)
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
Micron
21+
56TSOP (14x20)
13880
公司只售原裝,支持實單
 詢價
Micron
21+
56TSOP (14x20)
610880
本公司只售原裝 支持實單
 詢價
ST/意法
2023+
TSOP56
80000
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
 詢價
更多M29DW128F70NF6E供應商 更新時間2024-12-29 13:30:00

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