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M29F040-70K6R

4Mbit512Kbx8,UniformBlockSingleSupplyFlashMemory

DESCRIPTION TheM29F040isanon-volatilememorythatmaybeerasedelectricallyattheblocklevel,andprogrammedByte-by-Byte. ■M29F040isreplacedbytheM29F040B ■5V±10SUPPLYVOLTAGEforPROGRAM, ERASEandREADOPERATIONS ■FASTACCESSTIME:70ns ■BYTEPROGRAMMINGTIME:1

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

M29F040-70K6TR

4Mbit512Kbx8,UniformBlockSingleSupplyFlashMemory

DESCRIPTION TheM29F040isanon-volatilememorythatmaybeerasedelectricallyattheblocklevel,andprogrammedByte-by-Byte. ■M29F040isreplacedbytheM29F040B ■5V±10SUPPLYVOLTAGEforPROGRAM, ERASEandREADOPERATIONS ■FASTACCESSTIME:70ns ■BYTEPROGRAMMINGTIME:1

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

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更多M29F040-70K6E供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-20 16:32:00

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