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M29F400BB55M6T TR

包裝：托盤 封裝/外殼：44-SOIC（0.496"，12.60mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO

Micron Technology Inc.

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M29F400BB55M6

4Mbit512Kbx8or256Kbx16,BootBlockSingleSupplyFlashMemory

Description TheM29F400Bisa4Mbit(512Kbx8or256Kbx16)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasingle5Vsupply.Onpower-upthememorydefaultstoitsReadmodewhereitcanbereadinthesamewayasaROMorEPROM.TheM2

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

M29F400BB55M6

4Mbit(512Kbx8or256Kbx16,BootBlock)singlesupplyFlashmemory

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M29F400BB55M6E

4Mbit(512Kbx8or256Kbx16,BootBlock)singlesupplyFlashmemory

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4Mbit(512Kbx8or256Kbx16,BootBlock)singlesupplyFlashmemory

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M29F400BB55M6T

4Mbit(512Kbx8or256Kbx16,BootBlock)singlesupplyFlashmemory

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M29F400BB55M6T

4Mbit512Kbx8or256Kbx16,BootBlockSingleSupplyFlashMemory

Description TheM29F400Bisa4Mbit(512Kbx8or256Kbx16)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasingle5Vsupply.Onpower-upthememorydefaultstoitsReadmodewhereitcanbereadinthesamewayasaROMorEPROM.TheM2

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產品屬性

  • 產品編號：

    M29F400BB55M6T TR

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術：

    FLASH - NOR

  • 存儲容量：

    4Mb（512K x 8，256K x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    55ns

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    44-SOIC（0.496"，12.60mm 寬）

  • 供應商器件封裝：

    44-SO

  • 描述：

    IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Micron Technology Inc.
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