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M29F800DB55N1

包裝:托盤 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

M29F800DB55N1E

8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 5V Supply Flash Memory

Summarydescription TheM29F800Disa8Mbit(1Mbx8or512Kbx16)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(5V)supply.Onpower-upthememorydefaultstoitsReadmodewhereitcanbereadinthesamewayasaRO

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

M29F800DB55N1F

8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 5V Supply Flash Memory

Summarydescription TheM29F800Disa8Mbit(1Mbx8or512Kbx16)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(5V)supply.Onpower-upthememorydefaultstoitsReadmodewhereitcanbereadinthesamewayasaRO

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

M29F800DB55N1T

8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 5V Supply Flash Memory

Summarydescription TheM29F800Disa8Mbit(1Mbx8or512Kbx16)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(5V)supply.Onpower-upthememorydefaultstoitsReadmodewhereitcanbereadinthesamewayasaRO

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

M29F800DB55N1E

8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 5V Supply Flash Memory

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

M29F800DB55N1F

8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 5V Supply Flash Memory

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    M29F800DB55N1

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    閃存

  • 技術(shù):

    FLASH - NOR

  • 存儲容量:

    8Mb(1M x 8,512K x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    55ns

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    48-TSOP

  • 描述:

    IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Micron Technology Inc.
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原裝正品現(xiàn)貨庫存QQ:2987726803
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