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M29W400DT55ZE6E_集成電路（IC） 存儲器-Micron Technology Inc.

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1+
  • 廠家型號：

    M29W400DT55ZE6E

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 庫存數(shù)量：

    0

  • 類別：

    集成電路（IC） 存儲器

  • 封裝外殼：

    48-TFBGA

  • 包裝：

    托盤

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 更新時間：

    2025-1-19 8:38:00

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原廠料號：M29W400DT55ZE6E品牌：Micron Technology Inc.

資料說明：IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TFBGA

M29W400DT55ZE6E是集成電路（IC） > 存儲器。制造商Micron Technology Inc.生產(chǎn)封裝48-TFBGA的M29W400DT55ZE6E存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號：

    m29w400dt55ze6e

  • 規(guī)格書：

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  • 資料說明：

    IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TFBGA

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    M29W400DT55ZE6E

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    FLASH - NOR

  • 存儲容量：

    4Mb（512K x 8，256K x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    55ns

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    48-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    48-TFBGA（6x9）

  • 描述：

    IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TFBGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
MICRON/美光
22+
NA
3000
支持任何機構(gòu)檢測 只做原裝正品
 詢價
Micron
17+
6200
詢價
Micron Technology Inc.
21+
60-TFBGA
5280
進口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營
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Micron Technology Inc.
24+
48-TFBGA(6x9)
56200
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19+20+
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21+
BGA
5000
原裝現(xiàn)貨/假一賠十/支持第三方檢驗
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ST/意法
23+
BGA
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
Micron
22+
48TFBGA (6x9)
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價

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