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M29W400DT70ZE6F TR

Package：48-TFBGA；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TFBGA

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

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M29W400DT70ZE6

4Mbit(512Kbx8or256Kbx16,BootBlock)3VSupplyFlashMemory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

M29W400DT70ZE6

4Mbit(512Kbx8or256Kbx16,bootblock)3VsupplyFlashmemory

NUMONYX

numonyx

M29W400DT70ZE6

4Mbit(512Kbx8or256Kbx16,bootblock)3VsupplyFlashmemory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

M29W400DT70ZE6E

4Mbit(512Kbx8or256Kbx16,BootBlock)3VSupplyFlashMemory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

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M29W400DT70ZE6E

4Mbit(512Kbx8or256Kbx16,bootblock)3VsupplyFlashmemory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

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M29W400DT70ZE6E

4Mbit(512Kbx8or256Kbx16,bootblock)3VsupplyFlashmemory

NUMONYX

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M29W400DT70ZE6F

4Mbit(512Kbx8or256Kbx16,bootblock)3VsupplyFlashmemory

NUMONYX

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4Mbit(512Kbx8or256Kbx16,bootblock)3VsupplyFlashmemory

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    M29W400DT70ZE6F TR

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術：

    FLASH - NOR

  • 存儲容量：

    4Mb（512K x 8，256K x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    70ns

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    48-TFBGA

  • 供應商器件封裝：

    48-TFBGA（6x9）

  • 描述：

    IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TFBGA

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Micron Technology Inc.
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137-TFBGA
5280
進口原裝!長期供應!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營
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48-TFBGA(6x9)
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48TFBGA (6x9)
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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13880
公司只售原裝,支持實單
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48TFBGA (6x9)
610880
本公司只售原裝 支持實單
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23+
48-TFBGA (6x9)
36500
原裝正品現(xiàn)貨庫存QQ:2987726803
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Micron Technology Inc.
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48-TFBGA
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更多M29W400DT70ZE6F TR供應商 更新時間2025-1-31 13:02:00

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