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M29W800DB45ZE6E

8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

TheM29W800Disa8Mbit(1Mbx8or512Kbx16)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply. Onpower-upthememorydefaultstoitsReadmodewhereitcanbereadinthesamewayasaROMor

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

M29W800DB45ZE6E

8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory

Description TheM29W800Disa8-Mbit(1Mbitx8or512Kbitsx16)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply.Onpower-upthememorydefaultstoitsreadmodewhereitcanbereadinthesame

NUMONYX

numonyx

M29W800DB45ZE6E

包裝：托盤(pán) 封裝/外殼：48-TFBGA 類(lèi)別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TFBGA

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

M29W800DB45ZE6F

8-Mbit(1Mbitx8or512Kbitsx16,bootblock)3Vsupplyflashmemory

Description TheM29W800Disa8-Mbit(1Mbitx8or512Kbitsx16)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply.Onpower-upthememorydefaultstoitsreadmodewhereitcanbereadinthesame

NUMONYX

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M29W800DB45ZE6F

8Mbit(1Mbx8or512Kbx16,BootBlock)3VSupplyFlashMemory

TheM29W800Disa8Mbit(1Mbx8or512Kbx16)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply. Onpower-upthememorydefaultstoitsReadmodewhereitcanbereadinthesamewayasaROMor

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

M29W800DB45ZE6T

8-Mbit(1Mbitx8or512Kbitsx16,bootblock)3Vsupplyflashmemory

Description TheM29W800Disa8-Mbit(1Mbitx8or512Kbitsx16)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply.Onpower-upthememorydefaultstoitsreadmodewhereitcanbereadinthesame

NUMONYX

numonyx

M29W800DB45ZE6T

8Mbit(1Mbx8or512Kbx16,BootBlock)3VSupplyFlashMemory

TheM29W800Disa8Mbit(1Mbx8or512Kbx16)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply. Onpower-upthememorydefaultstoitsReadmodewhereitcanbereadinthesamewayasaROMor

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    M29W800DB45ZE6E

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類(lèi)別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    托盤(pán)

  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型：

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    FLASH - NOR

  • 存儲(chǔ)容量：

    8Mb（1M x 8，512K x 16）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：

    45ns

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    48-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    48-TFBGA（6x8）

  • 描述：

    IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TFBGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多M29W800DB45ZE6E供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-6 15:14:00

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