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M29W800DT70ZE6F TR

包裝：托盤 封裝/外殼：48-TFBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TFBGA

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

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M29W800DT70ZE6E

8-Mbit(1Mbitx8or512Kbitsx16,bootblock)3Vsupplyflashmemory

Description TheM29W800Disa8-Mbit(1Mbitx8or512Kbitsx16)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply.Onpower-upthememorydefaultstoitsreadmodewhereitcanbereadinthesame

NUMONYX

numonyx

M29W800DT70ZE6E

8Mbit(1Mbx8or512Kbx16,BootBlock)3VSupplyFlashMemory

TheM29W800Disa8Mbit(1Mbx8or512Kbx16)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply. Onpower-upthememorydefaultstoitsReadmodewhereitcanbereadinthesamewayasaROMor

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

M29W800DT70ZE6F

8Mbit(1Mbx8or512Kbx16,BootBlock)3VSupplyFlashMemory

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意法半導體意法半導體集團

M29W800DT70ZE6F

8-Mbit(1Mbitx8or512Kbitsx16,bootblock)3Vsupplyflashmemory

Description TheM29W800Disa8-Mbit(1Mbitx8or512Kbitsx16)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply.Onpower-upthememorydefaultstoitsreadmodewhereitcanbereadinthesame

NUMONYX

numonyx

M29W800DT70ZE6T

8Mbit(1Mbx8or512Kbx16,BootBlock)3VSupplyFlashMemory

TheM29W800Disa8Mbit(1Mbx8or512Kbx16)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply. Onpower-upthememorydefaultstoitsReadmodewhereitcanbereadinthesamewayasaROMor

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

M29W800DT70ZE6T

8-Mbit(1Mbitx8or512Kbitsx16,bootblock)3Vsupplyflashmemory

Description TheM29W800Disa8-Mbit(1Mbitx8or512Kbitsx16)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply.Onpower-upthememorydefaultstoitsreadmodewhereitcanbereadinthesame

NUMONYX

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    M29W800DT70ZE6F TR

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術：

    FLASH - NOR

  • 存儲容量：

    8Mb（1M x 8，512K x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    70ns

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    48-TFBGA

  • 供應商器件封裝：

    48-TFBGA（6x8）

  • 描述：

    IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TFBGA

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