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M30042040054X0IWAR_集成電路（IC） 存儲器-瑞薩

訂購數量 價格
4000+
  • 廠家型號：

    M30042040054X0IWAR

  • 制造商：

    RENESAS/瑞薩

  • 庫存數量：

    0

  • 類別：

    集成電路（IC） 存儲器

  • 封裝外殼：

    8-WDFN 裸露焊盤

  • 包裝：

    托盤

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 更新時間：

    2024-11-6 15:00:00

  • 詳細信息
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原廠料號：M30042040054X0IWAR品牌：Renesas Electronics America Inc

資料說明：IC RAM 4MBIT 54MHZ 8DFN

M30042040054X0IWAR是集成電路（IC） > 存儲器。制造商RENESAS/瑞薩生產封裝8-WDFN 裸露焊盤的M30042040054X0IWAR存儲器存儲器是集成電路上用作數據存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號：

    m30042040054x0iwar

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡稱：

    RENESAS【瑞薩】詳情

  • 廠商全稱：

    Renesas Technology Corp

  • 中文名稱：

    瑞薩科技有限公司

  • 資料說明：

    IC RAM 4MBIT 54MHZ 8DFN

產品屬性

  • 類型

    描述

  • 產品編號：

    M30042040054X0IWAR

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    RAM

  • 技術：

    MRAM（磁阻式 RAM）

  • 存儲容量：

    4Mb（1M x 4）

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-WDFN 裸露焊盤

  • 供應商器件封裝：

    8-DFN（5x6）

  • 描述：

    IC RAM 4MBIT 54MHZ 8DFN

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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