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M3008316035NX0IBCY集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
M3008316035NX0IBCY |
參數(shù)屬性 | M3008316035NX0IBCY 封裝/外殼為48-LFBGA;包裝為管件;類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:8MB MRAM PARALLEL INTERFACE, 35N |
功能描述 | Parallel MRAM Memory x16 |
封裝外殼 | 48-LFBGA |
文件大小 |
673.75 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
26 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-18 20:00:00 |
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M3008316035NX0IBCY規(guī)格書詳情
Features
? Interface
? Parallel Asynchronous x16
? Technology
? 40nm pMTJ STT-MRAM
? Data Retention (see Table 16. Endurance
and Data Retention Density)
? 4Mb, 8Mb, 16Mb, 32Mb
? Operating Voltage Range
? VCC: 2.70V – 3.60V
? Operating Temperature Range
? Industrial: -40°C to 85°C
? Industrial Plus: -40°C to 105°C
? RoHS Compliant & REACH Compliant
? Packages
? 44-pin TSOP (10mm x 18mm)
? 54-pin TSOP (10mm x 22mm)
? 48-ball FBGA (10mm x 10mm)
? Memory Array Organization
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
M3008316035NX0IBCY
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器
- 包裝:
管件
- 存儲(chǔ)器類型:
非易失
- 存儲(chǔ)器格式:
RAM
- 技術(shù):
MRAM(磁阻式 RAM)
- 存儲(chǔ)容量:
8Mb(512K x 16)
- 存儲(chǔ)器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字,頁:
35ns
- 電壓 - 供電:
2.7V ~ 3.6V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
48-LFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝:
48-FBGA(10x10)
- 描述:
8MB MRAM PARALLEL INTERFACE, 35N
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
SONY/索尼 |
23+ |
NA/ |
14 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
SONY/索尼 |
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98900 |
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詢價(jià) | |||
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模塊 |
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RENESAS(瑞薩電子) |
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詢價(jià) |