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M3008316035NX0IBCY集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料

M3008316035NX0IBCY
廠商型號(hào)

M3008316035NX0IBCY

參數(shù)屬性

M3008316035NX0IBCY 封裝/外殼為48-LFBGA;包裝為管件;類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:8MB MRAM PARALLEL INTERFACE, 35N

功能描述

Parallel MRAM Memory x16

封裝外殼

48-LFBGA

文件大小

673.75 Kbytes

頁面數(shù)量

26

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-18 20:00:00

M3008316035NX0IBCY規(guī)格書詳情

Features

? Interface

? Parallel Asynchronous x16

? Technology

? 40nm pMTJ STT-MRAM

? Data Retention (see Table 16. Endurance

and Data Retention Density)

? 4Mb, 8Mb, 16Mb, 32Mb

? Operating Voltage Range

? VCC: 2.70V – 3.60V

? Operating Temperature Range

? Industrial: -40°C to 85°C

? Industrial Plus: -40°C to 105°C

? RoHS Compliant & REACH Compliant

? Packages

? 44-pin TSOP (10mm x 18mm)

? 54-pin TSOP (10mm x 22mm)

? 48-ball FBGA (10mm x 10mm)

? Memory Array Organization

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    M3008316035NX0IBCY

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    管件

  • 存儲(chǔ)器類型:

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    RAM

  • 技術(shù):

    MRAM(磁阻式 RAM)

  • 存儲(chǔ)容量:

    8Mb(512K x 16)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁:

    35ns

  • 電壓 - 供電:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    48-LFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    48-FBGA(10x10)

  • 描述:

    8MB MRAM PARALLEL INTERFACE, 35N

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
SONY/索尼
23+
NA/
14
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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SONY/索尼
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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