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M3016316035NX0IBCY

Parallel MRAM Memory x16

Features ?Interface ?ParallelAsynchronousx16 ?Technology ?40nmpMTJSTT-MRAM ?DataRetention(seeTable16.Endurance andDataRetentionDensity) ?4Mb,8Mb,16Mb,32Mb ?OperatingVoltageRange ?VCC:2.70V–3.60V ?OperatingTemperatureRange ?Industrial:-40°Cto85°C ?Ind

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

M3016316035NX0IBCY

包裝：托盤 封裝/外殼：48-LFBGA 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：16MB MRAM PARALLEL INTERFACE, 35

Renesas Electronics America Inc

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Renesas Electronics America Inc

M3016316035NX0IBCR

ParallelMRAMMemoryx16

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M3016316035NX0ITBR

ParallelMRAMMemoryx16

Features ?Interface ?ParallelAsynchronousx16 ?Technology ?40nmpMTJSTT-MRAM ?DataRetention(seeTable16.Endurance andDataRetentionDensity) ?4Mb,8Mb,16Mb,32Mb ?OperatingVoltageRange ?VCC:2.70V–3.60V ?OperatingTemperatureRange ?Industrial:-40°Cto85°C ?Ind

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M3016316035NX0ITBY

ParallelMRAMMemoryx16

Features ?Interface ?ParallelAsynchronousx16 ?Technology ?40nmpMTJSTT-MRAM ?DataRetention(seeTable16.Endurance andDataRetentionDensity) ?4Mb,8Mb,16Mb,32Mb ?OperatingVoltageRange ?VCC:2.70V–3.60V ?OperatingTemperatureRange ?Industrial:-40°Cto85°C ?Ind

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M3016316035NX0PBCR

ParallelMRAMMemoryx16

Features ?Interface ?ParallelAsynchronousx16 ?Technology ?40nmpMTJSTT-MRAM ?DataRetention(seeTable16.Endurance andDataRetentionDensity) ?4Mb,8Mb,16Mb,32Mb ?OperatingVoltageRange ?VCC:2.70V–3.60V ?OperatingTemperatureRange ?Industrial:-40°Cto85°C ?Ind

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M3016316035NX0PBCY

ParallelMRAMMemoryx16

Features ?Interface ?ParallelAsynchronousx16 ?Technology ?40nmpMTJSTT-MRAM ?DataRetention(seeTable16.Endurance andDataRetentionDensity) ?4Mb,8Mb,16Mb,32Mb ?OperatingVoltageRange ?VCC:2.70V–3.60V ?OperatingTemperatureRange ?Industrial:-40°Cto85°C ?Ind

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M3016316035NX0PTBR

ParallelMRAMMemoryx16

Features ?Interface ?ParallelAsynchronousx16 ?Technology ?40nmpMTJSTT-MRAM ?DataRetention(seeTable16.Endurance andDataRetentionDensity) ?4Mb,8Mb,16Mb,32Mb ?OperatingVoltageRange ?VCC:2.70V–3.60V ?OperatingTemperatureRange ?Industrial:-40°Cto85°C ?Ind

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M3016316035NX0PTBY

ParallelMRAMMemoryx16

Features ?Interface ?ParallelAsynchronousx16 ?Technology ?40nmpMTJSTT-MRAM ?DataRetention(seeTable16.Endurance andDataRetentionDensity) ?4Mb,8Mb,16Mb,32Mb ?OperatingVoltageRange ?VCC:2.70V–3.60V ?OperatingTemperatureRange ?Industrial:-40°Cto85°C ?Ind

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    M3016316035NX0IBCY

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型：

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    RAM

  • 技術(shù)：

    MRAM（磁阻式 RAM）

  • 存儲(chǔ)容量：

    16Mb（1M x 16）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    35ns

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    48-LFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    48-FBGA（10x10）

  • 描述：

    16MB MRAM PARALLEL INTERFACE, 35

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Renesas Electronics Corporatio
23+/24+
48-LFBGA
8600
只供原裝進(jìn)口公司現(xiàn)貨+可訂貨
 詢價(jià)
Renesas Electronics America In
24+
48-LFBGA
9350
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
 詢價(jià)
UBIQ
23+
SOP-8
7800
一級(jí)代理原廠VIP渠道,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、
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茂達(dá)
2020+
TO-252
763
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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UBIQ
24+
TO252
5000
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨
 詢價(jià)
AOS
2020+
TO-252
80000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
 詢價(jià)
茂達(dá)
23+
TO-252
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
茂達(dá)
2022
TO-252
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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茂達(dá)
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68900
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!
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UBIQ
22+
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只做原裝低價(jià)甩賣假一罰萬
 詢價(jià)
更多M3016316035NX0IBCY供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-2 15:46:00

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