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M470L1624FU0-CB0中文資料三星數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

M470L1624FU0-CB0
廠商型號

M470L1624FU0-CB0

功能描述

DDR SDRAM SODIMM

文件大小

264.46 Kbytes

頁面數(shù)量

20

生產(chǎn)廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡稱

Samsung三星

中文名稱

三星半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-15 15:04:00

M470L1624FU0-CB0規(guī)格書詳情

Feature

? Power supply : Vdd: 2.5V ± 0.2V, Vddq: 2.5V ± 0.2V

? Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle

? Bidirectional data strobe(DQS)

? Differential clock inputs(CK and CK)

? DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition

? Programmable Read latency 2, 2.5 (clock)

? Programmable Burst length (2, 4, 8)

? Programmable Burst type (sequential & interleave)

? Edge aligned data output, center aligned data input

? Auto & Self refresh, 7.8us refresh interval(8K/64ms refresh)

? Serial presence detect with EEPROM

? PCB : Height 1250 (mil), single(128MB), double(256MB) sided component

? SSTL_2 Interface Pb-Free

? RoHS compliant

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    M470L1624FU0-CB0

  • 制造商:

    SAMSUNG

  • 制造商全稱:

    Samsung semiconductor

  • 功能描述:

    DDR SDRAM SODIMM

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
SAMSUNG
24+
SODIMM
35200
一級代理/放心采購
詢價
ADM
23+
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12000
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SAMSUNG/三星
SODIMM
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SAMSUNG/三星
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NA
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原裝現(xiàn)貨/假一賠十/支持第三方檢驗
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