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M59DR032F120N6T

32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory

DESCRIPTION TheM59DR032isa32Mbitnon-volatileFlashmemorythatmaybeerasedelectricallyatblocklevelandprogrammedin-systemonaWord-byWordbasisusinga1.65Vto2.2VVDDsupplyforthecircuitry.ForProgramandEraseoperationsthenecessaryhighvoltagesaregeneratedinternally.

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    M59DR032F120N6T

  • 制造商:

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全稱:

    STMicroelectronics

  • 功能描述:

    32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
ST
2018+
BGA
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詢價(jià)
ST/意法
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ST/意法
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BGA
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詢價(jià)
ST
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BGA
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原裝現(xiàn)貨
詢價(jià)
ST
2005
BGA
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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ST
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ST
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BGA
3414
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ST
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原裝現(xiàn)貨,長期供應(yīng),終端可賬期
詢價(jià)
更多M59DR032F120N6T供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-19 9:00:00