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MA10701

Silicon epitaxial planar type

Siliconepitaxialplanartype Forhigh-frequencyrectification ■Features ?Minitype3-pinpackage ?Allowingtorectifyunder(IF(AV)=700mA)condition

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下電器

MA10702

Silicon epitaxial planar type

Siliconepitaxialplanartype Forhighfrequencyrectification ■Features ?IF(AV)=500mArectificationispossible ?SmallreversecurrentIR.(About1/10ofIRoftheordinaryproducts) ?S-Minitype3-pinpackage

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下電器

MA10704

Schottky Barrier Diodes (SBD)

Siliconepitaxialplanartype Forsuperhighspeedswitching ■Features ?Forwardcurrent(Average)IF(AV)=200mArectificationispossible ?SmallreversecurrentIR(About1/10ofIRoftheordinaryproducts)

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下電器

MA10705

Schottky Barrier Diodes (SBD)

Siliconepitaxialplanartype Forhighfrequencyrectification ■Features ?IF(AV)=1.5Arectificationispossible ?Lowforwardvoltage:VF

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下電器

MA1078-2

For DCS1800 - 20W Power Amplifier

DESCRIPTION TheMA1078-2isa20WpoweramplifierdesignedforDCS1800,whichcomprises4stagesGaAsFETand2stagesSibipolartransistors,alsoRFpowermonitoringcircuit. FEATURES ■Specified+25/+10VoltChracteristics ?RFOutputPower:+43dBm(typ.) ?Harmonics:–65dBct

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機(jī)三菱電機(jī)株式會社

MA10799

Silicon epitaxial planar type (cathode common)

Siliconepitaxialplanartype(cathodecommon) Forswitchingmodepowersupply ■Features ?IF(AV)=10Arectificationispossible ?Cathode-commondualtype ?Lowforwardvoltage:VF

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下電器

MA11

Accelerometer

DESCRIPTION TheModelMA11amplifiedpiezoelectricaccelerometersaredesignedtobeusedinIndustrialtestandautomationenvironments;includinglaboratorytesting,modalstudiesand testcells.Theseismicelementismechanicallyisolatedfromthemountingbase,resultinginalowbasestrai

HoneywellHoneywell Solid State Electronics Center

霍尼韋爾霍尼韋爾國際

MA1100-1

For DCS1800 - 30W Power Amplifier

DESCRIPTION TheMA1100-1isa30WpoweramplifierdesignedforDCS1800,whichcomprises4stagesGaAsFETand2stagesSibipolartransistors,alsoRFpowermonitoringcircuit. FEATURES ■Specified+25/+10VoltChracteristics ?RFOutputPower:+45dBm(typ.) ?Harmonics:–65dBct

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機(jī)三菱電機(jī)株式會社

MA1100-M

Vertical Driver LSI for Video Camera CCD Area Image Sensor

Overview TheMN3111HisaverticaldriverLSIforatwo-dimensionalinterlineCCDimagesensor.Itfeaturesabuilt-inpowersupplycircuitthat,inconjunctionwithsuchexternalcomponentsasfourboostercapacitors,sixvoltagestabilizationcapacitors,eightSchottkybarrierdiodes,andtwoZ

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下電器

MA1113-1

For PCS - 20W Power Amplifier

DESCRIPTION TheMA1113-1isa20WpoweramplifierdesignedforPCS,whichcomprises4stagesGaAsFETand2stagesSibipolartransistors,alsoRFpowermonitoringcircuit. FEATURES ■Specified+25/+10VoltChracteristics ?RFOutputPower:+43dBm(typ.) ?Harmonics:–65dBctyp.

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機(jī)三菱電機(jī)株式會社

替換型號

晶體管資料

  • 型號：

    MA100

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Ge-PNP

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_TR

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    60V

  • 最大電流允許值：

    0.5A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    ACY24,ACY39,ASY48,3AX53C,

  • 最大耗散功率：

    0.2W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    D-9

  • vtest：

    60

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.5

  • wtest：

    0.2

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    MA1

  • 制造商：

    HIRSCHMANN TEST AND MEASUREMENT

  • 功能描述：

    CROCODILE CLIP 2MM BLACK PK5

  • 制造商：

    Hirschmann Electronics GmbH & Co Kg

  • 功能描述：

    CROCODILE CLIP, 2MM, BLACK, PK5

  • 功能描述：

    CROCODILE CLIP, 2MM, BLACK, PK5; Connector

  • Type：

    Crocodile Clip; Jaw Opening

  • Max：

    4mm; Insulator

  • Colour：

    Black; Termination

  • Method：

    2mm Socket;

  • SVHC：

    No SVHC(19-Dec-2012);

  • Colour：

    Black; Contact

  • Material：

    Brass; Contact

  • Plating：

    Nickel; ;RoHS

  • Compliant：

    NA

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