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MA4E2501L-1290分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

MA4E2501L-1290
廠商型號(hào)

MA4E2501L-1290

參數(shù)屬性

MA4E2501L-1290 封裝/外殼為模具;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-射頻;產(chǎn)品描述:SCHOTTKY.SURMOUNT,SINGLE,SI

功能描述

SURMOUNTTM Low Barrier 0201 Footprint Silicon Schottky Diodes

文件大小

60.64 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

3 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 M/A-COM Technology Solutions, Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

MA-COM

中文名稱

M/A-COM Technology Solutions, Inc.官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-1 23:00:00

MA4E2501L-1290規(guī)格書(shū)詳情

Description

The MA4E2501L-1290 SurMount? Diodes are Silicon Low Barrier Schottky Devices fabricated with the patented Heterolithic Microwave Integrated Circuit (HMIC) process. HMIC circuits consist of Silicon pedestals which form diodes or via conductors embedded in a glass dielectric, which acts as the low dispersion, microstrip transmission medium. The combination of silicon and glass allows HMIC devices to have excellent loss and power dissipation characteristics in a low profile, reliable device.

Features

? Extremely Low Parasitic Capitance and Inductance

? Extremely Small 0201 (600x300um) Footprint

? Surface Mountable in Microwave Circuits , No Wirebonds Required

? Rugged HMIC Construction with Polyimide Scratch Protection

? Reliable, Multilayer Metalization with a Diffusion Barrier, 100 Stabilization Bake (300°C, 16 hours)

? Lower Susceptibility to ESD Damage

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MA4E2501L-1290

  • 制造商:

    MACOM Technology Solutions

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 射頻

  • 系列:

    MA4E2501 Surmount?

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 二極管類型:

    肖特基 - 單

  • 電壓 - 峰值反向(最大值):

    5V

  • 不同?Vr、F 時(shí)電容:

    0.12pF @ 0V,1MHz

  • 不同?If、F 時(shí)電阻:

    14 歐姆 @ 10.5mA,1MHz

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TA)

  • 封裝/外殼:

    模具

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    芯片

  • 描述:

    SCHOTTKY.SURMOUNT,SINGLE,SI

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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