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MASTERGAN4TR

High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN Power HEMT

Features ?600Vsystem-in-packageintegratinghalf-bridgegatedriverandhigh-voltage GaNpowertransistors: –QFN9x9x1mmpackage –RDS(ON)=225m? –IDS(MAX)=6.5A ?Reversecurrentcapability ?Zeroreverserecoveryloss ?UVLOprotectiononlow-sideandhigh-side ?Internal

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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22+
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原裝現(xiàn)貨,可追溯原廠渠道
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明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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優(yōu)勢渠道原裝現(xiàn)貨
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更多MASTERGAN4TR供應商 更新時間2025-1-24 14:02:00