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MAT01GHZ分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-陣列規(guī)格書PDF中文資料

MAT01GHZ
廠商型號

MAT01GHZ

參數(shù)屬性

MAT01GHZ 封裝/外殼為TO-78-6 金屬罐;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-陣列;產(chǎn)品描述:TRANS 2NPN 45V 0.025A TO78-6

功能描述

Matched Monolithic Dual Transistor
TRANS 2NPN 45V 0.025A TO78-6

封裝外殼

TO-78-6 金屬罐

文件大小

261.459 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Analog Devices
企業(yè)簡稱

AD亞德諾

中文名稱

亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-13 11:06:00

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MAT01GHZ規(guī)格書詳情

MAT01GHZ屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-陣列。由亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司制造生產(chǎn)的MAT01GHZ晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 陣列雙極晶體管陣列在同一封裝中包含兩個或更多的分立晶體管,這些晶體管可在電氣上完全隔離,也可在器件封裝內(nèi)部以某種形式互連。陣列中包含的器件具有相近或互補的特性,采用共同封裝可最大程度減小器件在工作過程中的溫差。

GENERAL DESCRIPTION

The MAT01 is a monolithic dual NPN transistor. An exclusive silicon nitride triple passivation process provides excellent stability of critical parameters over both temperature and time. Matching characteristics include offset voltage of 40 μV, temperature drift of 0.15 μV/°C, and hFE matching of 0.7. High hFE is provided over a six decade range of collector current, including an exceptional hFE of 590 at a collector current of only 10 nA. The high gain at low collector current makes the MAT01 ideal for use in low power, low level input stages.

FEATURES

Low VOS (VBE match): 40 μV typical, 100 μV maximum

Low TCVOS: 0.5 μV/°C maximum

High hFE: 500 minimum

Excellent hFE linearity from 10 nA to 10 mA

Low noise voltage: 0.23 μV p-p from 0.1 Hz to 10 Hz

High breakdown: 45 V min

APPLICATIONS

Weigh scales

Low noise, op amp, front end

Current mirror and current sink/source

Low noise instrumentation amplifiers

Voltage controlled attenuators

Log amplifiers

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    MAT01GHZ

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 陣列

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    2 NPN(雙)配對

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    25mA

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    45V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    800mV @ 1mA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    400nA

  • 功率 - 最大值:

    500mW

  • 頻率 - 躍遷:

    450MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-78-6 金屬罐

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-78-6

  • 描述:

    TRANS 2NPN 45V 0.025A TO78-6

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