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MHW1184	文件：66.48 Kbytes Page：4 Pages	LowDistortionWidebandAmplifiers TheRFLine LowDistortionWidebandAmplifier ...designedspecificallyforbroadbandapplicationsrequiringlowdistortioncharacteristics.Specifiedforuseasreturnamplifiersformid–splitandhigh–split2–waycableTVsystems.Featuresallgoldmetallizationsystem. ?GuaranteedBroadba	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
S1184	文件：8.67823 Mbytes Page：20 Pages	AdhesivesSelectionGuide AdhesivesandSealantsThatAccommodate aWideRangeofApplications,Materials,and EnvironmentalConditions	TECTE Connectivity Ltd 泰科電子泰科電子有限公司	TEC
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T-1184G	文件：25.57 Kbytes Page：1 Pages	ADSLTransformer	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND
TA1184A	文件：377.99 Kbytes Page：6 Pages	SAWFilter1227.6MHz	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TSB1184	文件：314.82 Kbytes Page：4 Pages	LowVcesatPNPTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSB1184	文件：45.79 Kbytes Page：3 Pages	LowVce(sat)PNPTransistor Features ●LowVCE(SAT)-0.3V@IC/IB=-2A/-100mA(Typ.) ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics Structure ●EpitaxialPlanarType ●PNPSiliconTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSB1184A	文件：314.94 Kbytes Page：4 Pages	LowVcesatPNPTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSB1184A	文件：45.7 Kbytes Page：3 Pages	LowVce(sat)PNPTransistor Features ●LowVCE(SAT)-0.3V@IC/IB=-2A/-100mA(Typ.) ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics Structure ●EpitaxialPlanarType ●PNPSiliconTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSB1184ACP	文件：45.7 Kbytes Page：3 Pages	LowVce(sat)PNPTransistor Features ●LowVCE(SAT)-0.3V@IC/IB=-2A/-100mA(Typ.) ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics Structure ●EpitaxialPlanarType ●PNPSiliconTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSB1184ACPQ	文件：45.7 Kbytes Page：3 Pages	LowVce(sat)PNPTransistor Features ●LowVCE(SAT)-0.3V@IC/IB=-2A/-100mA(Typ.) ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics Structure ●EpitaxialPlanarType ●PNPSiliconTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSB1184ACPR	文件：45.7 Kbytes Page：3 Pages	LowVce(sat)PNPTransistor Features ●LowVCE(SAT)-0.3V@IC/IB=-2A/-100mA(Typ.) ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics Structure ●EpitaxialPlanarType ●PNPSiliconTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSB1184ACPRO	文件：314.94 Kbytes Page：4 Pages	LowVcesatPNPTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
MAX1184ECM-TD
功能描述：
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 - ADC
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道數(shù)量：
2
結(jié)構(gòu)：
Sigma-Delta
轉(zhuǎn)換速率：
125 SPs to 8 KSPs
分辨率：
24 bit
輸入類型：
Differential
信噪比：
107 dB
接口類型：
SPI
工作電源電壓：
1.7 V to 3.6 V, 2.7 V to 5.25 V
最大工作溫度：
+ 85 C
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
VQFN-32

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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