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NTDV5804N

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTDV5804N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=69A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=7.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NTE5804

NTE5800thruNTE5809AxialLeadStandardRecoverySiliconRectifiers,3Amp,DO27

Description: TheNTE5800throughNTE5809siliconrectifiersaredesignedforuseinpowersuppliesandotherapplicationshavingneedofadevicewiththefollowingfeatures: ●HighCurrenttoSmallSize ●HighSurgeCurrentCapability ●LowForwardVoltageDrop

NTE

NTE Electronics

PT5804

18-A5-VInputAdjustableIntegratedSwitchingRegulator

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類制造商

PT5804

18AOutputCurrent

TI1Texas Instruments

德州儀器

PT5804N

18AOutputCurrent

TI1Texas Instruments

德州儀器

SPD5804

HYPERFASTRECOVERYRECTIFIER

SSDI

Solid States Devices, Inc

SPD5804

LOWLEAKAGE2.0AMPS50-150VOLTS25nsHYPERFASTRECOVERYRECTIFIER

SSDI

Solid States Devices, Inc

SPD5804S

LOWLEAKAGE2.0AMPS50-150VOLTS25nsHYPERFASTRECOVERYRECTIFIER

SSDI

Solid States Devices, Inc

SPD5804SMS

LOWLEAKAGE2.0AMPS50-150VOLTS25nsHYPERFASTRECOVERYRECTIFIER

SSDI

Solid States Devices, Inc

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10TDFN (3x2)
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本公司只售原裝 支持實單
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更多MAX5804ATB供應(yīng)商 更新時間2025-3-14 14:21:00

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