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MCRO3800	文件：222.36 Kbytes Page：2 Pages	CeramiccoaxialVCO	BOWEIBOWEI Integrated Circuits CO.,LTD. 博威集成電路河北博威集成電路有限公司	BOWEI
MCRO3800	文件：583.64 Kbytes Page：4 Pages	VoltageControlledOscillatorwithceramiccoaxialresonator	BOWEIBOWEI Integrated Circuits CO.,LTD. 博威集成電路河北博威集成電路有限公司	BOWEI
NCP3800V	文件：221.45 Kbytes Page：15 Pages	SMBusLevel2BatteryCharger	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NCP3800VMNTXG	文件：221.45 Kbytes Page：15 Pages	SMBusLevel2BatteryCharger	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NF3800C-UQA	文件：283 Kbytes Page：5 Pages	3-phase3-line480VACLargecurrent,smallfootprint(LowLeakage)	SOSHINSoshin electric Co., Ltd. 雙信電機雙信電機株式會社	SOSHIN
NF3800C-VQ	文件：335.43 Kbytes Page：6 Pages	3-phase3-line480VACAvailable50A-1000ALargecurrent&Highattenuation	SOSHINSoshin electric Co., Ltd. 雙信電機雙信電機株式會社	SOSHIN
OPTO-3800S	文件：720.85 Kbytes Page：1 Pages	CentronicsModemsPrinterInterface	PURDY Purdy Electronics Corporation	PURDY
P3800	文件：179.03 Kbytes Page：5 Pages	LINEMATCHINGTRANSFORMER	ETAL ETAL Group	ETAL
P3800	文件：449.44 Kbytes Page：1 Pages	ISOLATEDFLYBACKTRANSFORMERS	MPSINDMPS Industries, Inc. 美國芯源	MPSIND
P3800DM	文件：2.90116 Mbytes Page：6 Pages	ThyristorSurgeSuppressors(TSS) FeaturesandBenefits Excellentcapabilityofabsorbingtransientsurge Quickresponsetosurgevoltage(nsLevel) Eliminatesovervoltagecausedbyfastrisingtransients Moisturesensitivitylevel:Level1 Weight69mg(approximate) Nondegenerative ResponseTimeis	UNSEMIUN Semiconducctor INC 優(yōu)恩半導體深圳市優(yōu)恩半導體有限公司	UNSEMI
P3800EA	文件：2.82579 Mbytes Page：6 Pages	ThyristorSurgeSuppressors(TSS) FeaturesandBenefits Lowvoltageovershoot Lowon-statevoltage Doesnotdegradesurgecapabilityaftermultiplesurgeevents withinlimit Failsshortcircuitwhensurgedinexcessofratings LowCapacitance	UNSEMIUN Semiconducctor INC 優(yōu)恩半導體深圳市優(yōu)恩半導體有限公司	UNSEMI
P3800EB	文件：2.82166 Mbytes Page：6 Pages	ThyristorSurgeSuppressors(TSS) FeaturesandBenefits Lowvoltageovershoot Lowon-statevoltage Doesnotdegradesurgecapabilityaftermultiplesurgeevents withinlimit Failsshortcircuitwhensurgedinexcessofratings LowCapacitance	UNSEMIUN Semiconducctor INC 優(yōu)恩半導體深圳市優(yōu)恩半導體有限公司	UNSEMI
P3800EC	文件：2.82987 Mbytes Page：6 Pages	ThyristorSurgeSuppressors(TSS) FeaturesandBenefits Lowvoltageovershoot Lowon-statevoltage Doesnotdegradesurgecapabilityaftermultiplesurgeevents withinlimit Failsshortcircuitwhensurgedinexcessofratings LowCapacitance	UNSEMIUN Semiconducctor INC 優(yōu)恩半導體深圳市優(yōu)恩半導體有限公司	UNSEMI
P3800LA	文件：3.73964 Mbytes Page：6 Pages	ThyristorSurgeSuppressors(TSS) FeaturesandBenefits Lowvoltageovershoot Lowon-statevoltage Doesnotdegradesurgecapabilityaftermultiplesurgeevents withinlimit Failsshortcircuitwhensurgedinexcessofratings LowCapacitance	UNSEMIUN Semiconducctor INC 優(yōu)恩半導體深圳市優(yōu)恩半導體有限公司	UNSEMI
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P3800LC	文件：3.74287 Mbytes Page：6 Pages	ThyristorSurgeSuppressors(TSS) FeaturesandBenefits Lowvoltageovershoot Lowon-statevoltage Doesnotdegradesurgecapabilityaftermultiplesurgeevents withinlimit Failsshortcircuitwhensurgedinexcessofratings LowCapacitance	UNSEMIUN Semiconducctor INC 優(yōu)恩半導體深圳市優(yōu)恩半導體有限公司	UNSEMI
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P3800SA	文件：3.38481 Mbytes Page：6 Pages	ThyristorSurgeSuppressors(TSS) FeaturesandBenefits Lowvoltageovershoot Lowon-statevoltage Doesnotdegradesurgecapabilityaftermultiplesurgeevents withinlimit Failsshortcircuitwhensurgedinexcessofratings LowCapacitance	UNSEMIUN Semiconducctor INC 優(yōu)恩半導體深圳市優(yōu)恩半導體有限公司	UNSEMI
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詳細參數(shù)

型號：
MB3800PNF-G-BND-JN-E
功能描述：
IC REG CTRLR BST PWM 8-SOP
RoHS：
是
類別：
集成電路(IC) >> PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 切換控制器
系列：
-
標準包裝：
2,500
系列：
- PWM
型：
電流模式
輸出數(shù)：
1 頻率 -
最大：
500kHz
占空比：
100%
電源電壓：
8.2 V ~ 30 V
降壓：
無
升壓：
無
回掃：
是
反相：
無
倍增器：
無
除法器：
無
Cuk：
無
隔離：
是
工作溫度：
0°C ~ 70°C
封裝/外殼：
8-DIP（0.300，7.62mm）
包裝：
管件
產品目錄頁面：
1316(CN2011-ZH PDF)

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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