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零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
MBR1150	文件：60.62 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS VOLTAGE40to200VoltsCURRENT1.0Amperes FEATURES ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-Outilizing FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. ?ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 ?Foruseinlowvoltage,highfrequenc	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
MBR1150	文件：135.4 Kbytes Page：2 Pages	1.0A SCHOTTKY BARRIER DIODE Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●HighCurrentCapability ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCurrentCapability ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplications	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司	ZSELEC
MBR1150CT	文件：805.73 Kbytes Page：2 Pages	10.0AMPS. Schottky Barrier Rectifiers	GXELECTRONICSShandong Xinghe Minghui Electronics Co., Ltd 星合明輝電子山東星合明輝電子有限公司	GXELECTRONICS
MBR1150E	文件：484.28 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS REVERSE VOLTAGE 20V TO 200V FORWARD CURRENT 1.0A DESCRIPTION The MBR120E~MBR1200Eisavailablein SOD-323HEPackage FEATURES ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V 0 ?Lowpowerloss,highefficiency ?Foruseinlowvoltagehighfrequencyinverters, freewheeling, andpolarityprotection appl	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
MBR1150F	文件：435.52 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS REVERSE VOLTAGE 20 TO 200V FORWARD CURRENT 1.0A DESCRIPTION Th eMBR120FMBR1200Fareavailablein SOD123FLpackage FEATURES ?Metalsiliconjunction,majoritycarrier conduction ?Forsurfacemountedapplications ?Lowpowerloss,highefficiency ?Highforwardsurgecurrentcapability ?Foruseinlowvoltage,highfre	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
MBR1150_R2_00001	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）封裝/外殼：DO-204AL，DO-41，軸向類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管 - 整流器 - 單描述：SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS	Panjit International Inc. Panjit International Inc.	Panjit International Inc.
MBRS1150	文件：77.54 Kbytes Page：2 Pages	1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司	ZSELEC
MBRX1150	文件：439.27 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierRectifiers	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
MBRX1150	文件：101.24 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
MBRXF1150	文件：399.02 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierRectifiers	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
MENB1150	文件：193.67 Kbytes Page：2 Pages	MedicalSwitch-ModePowerSupply	SLPOWER SL Power Electronics	SLPOWER
MENT1150	文件：259 Kbytes Page：2 Pages	UniversalInput150WattSeries	SLPOWER SL Power Electronics	SLPOWER
MENT1150A	文件：259 Kbytes Page：2 Pages	Medical/ITESwitch-ModePowerSupply	SLPOWER SL Power Electronics	SLPOWER
MINT1150	文件：613.83 Kbytes Page：8 Pages	TheMINT1150familyisahighpowerdensityforapowersupplyina2??x4??size.	SLPOWER SL Power Electronics	SLPOWER
MRF1150MA	文件：150.92 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVEPOWERTRANSISTORNPNSILICON TheRFLine MicrowavePulsePowerTransistor DesignedforClassBandCcommonbaseamplifierapplicationsinshortpulseTACAN,IFF,andDMEtransmitters. ?GuaranteedPerformance@1090MHz,50Vdc OutputPower=150WattsPeak MinimumGain=7.8dB ?100TestedforLoadMismatchat	MACOM Tyco Electronics	MACOM
MRF1150MA	文件：128.199 Kbytes Page：5 Pages	MICROWAVEPOWERTRANSISTORS TheRFLine MicrowavePulsePowerTransistor DesignedforClassBandCcommonbaseamplifierapplicationsinshortpulseTACAN,IFF,andDMEtransmitters. ?GuaranteedPerformance@1090MHz,50Vdc OutputPower=150WattsPeak MinimumGain=7.8dB ?100TestedforLoadMismatch	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MRF1150MA	文件：196.12 Kbytes Page：5 Pages	MicrowavePulsePowerSiliconNPNTransistor150W(peak),960-1215MHz MicrowavePulsePowerSiliconNPNTransistor 150W(peak),960–1215MHz DesignedforClassBandCcommonbaseamplifierapplicationsinshortpulseTACAN,IFF,andDMEtransmitters. ?Guaranteedperformance@1090MHz,50Vdc Outputpower=150Wpeak Minimumgain=7.8dB ?100tested	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
MRF1150MB	文件：19.41 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIMRF1150MBisDesignedforClassBandC,TACAN,IFF,andDMEApplicationsupto1090MHz. FEATURES: ?ClassBandCOperation ?CommonBase ?PG=7.8dBat150W/1090MHz ?Omnigold?MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI
MRF1150MB	文件：191.65 Kbytes Page：5 Pages	MicrowavePulsePowerSiliconNPNTransistor150W(peak),960-1215MHz DesignedforClassBandCcommonbaseamplifierapplicationsinshortpulseTACAN,IFF,andDMEtransmitters. ?Guaranteedperformance@1090MHz,50Vdc Outputpower=150Wpeak Minimumgain=7.8dB ?100testedforloadmismatchatallphaseangleswith10:1VSWR ?Indu	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
MRF1150MB	文件：128.199 Kbytes Page：5 Pages	MICROWAVEPOWERTRANSISTORS TheRFLine MicrowavePulsePowerTransistor DesignedforClassBandCcommonbaseamplifierapplicationsinshortpulseTACAN,IFF,andDMEtransmitters. ?GuaranteedPerformance@1090MHz,50Vdc OutputPower=150WattsPeak MinimumGain=7.8dB ?100TestedforLoadMismatch	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
MBR1150
制造商：
PANJIT
制造商全稱：
Pan Jit International Inc.
功能描述：
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	MBR1150_R2_00001		24+	N/A	56000	一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	MBR1150_R2_00001	Panjit International Inc.	24+	DO-41	9350	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	MBR120	ON	24+		120000		詢價(jià)
深圳市亞泰盈科電子有限公司	MBR120			DO-41	568923	提供BOM表配單只做原裝貨值得信賴	詢價(jià)
深圳市華斯頓科技有限公司	MBR120	ON	22+23+	SOD-123	30249	絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	MBR120	ON進(jìn)口原裝	24+	SOD123	65000	原裝現(xiàn)貨/放心購(gòu)買	詢價(jià)
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深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	MBR120	ON	23+	SOT143	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市吉銀科技有限公司	MBR120	ON(安森美)			6000		詢價(jià)

更多MBR1150供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-12 11:06:00

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